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DS1245Y-85 发布时间 时间:2025/8/20 21:45:51 查看 阅读:25

DS1245Y-85是Maxim Integrated(美信集成)公司生产的一款NV SRAM(非易失性静态随机存取存储器)芯片,属于DS1245系列。该芯片将SRAM与锂电池和控制电路集成在一个封装内,确保在系统断电时数据不会丢失。其存储容量为8K x 8位,适用于需要高可靠性和非易失性数据存储的应用场合。DS1245Y-85的工作温度范围为工业级-40°C至+85°C,适合在恶劣环境中使用。

参数

存储容量:8K x 8位
  工作电压:5V
  访问时间:85ns
  封装类型:28引脚DIP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据保持电流:典型值10μA(最大值20μA)
  写保护功能:硬件写保护引脚
  数据保存时间:10年(典型值)

特性

DS1245Y-85具备多项显著特性。其内置锂电池确保在系统断电时数据能够持续保存,且电池寿命长,无需用户更换。该芯片的高速访问时间为85ns,适用于对数据读写速度有较高要求的场景。此外,DS1245Y-85采用标准的28引脚DIP封装,方便用户在PCB设计中进行布局和焊接。
  在数据保护方面,DS1245Y-85提供硬件写保护功能,当VCC电压下降至阈值以下时,芯片自动进入写保护状态,防止在低电压条件下发生数据损坏。芯片的工业级工作温度范围使其适用于各种恶劣环境,如工业控制系统、通信设备和数据采集系统。
  该芯片的静态随机存取存储器具有高速读写能力,且无需刷新操作,降低了系统的复杂性。其非易失性特性使得DS1245Y-85成为替代传统EEPROM和Flash存储器的理想选择,特别是在需要频繁写入和高可靠性的应用场景中。

应用

DS1245Y-85广泛应用于需要长时间保存数据的工业和通信设备中。典型应用包括工业自动化控制系统中的配置数据存储、通信设备中的运行日志记录、医疗设备中的患者数据保存以及测试仪器中的测量结果存储。
  在安防系统中,DS1245Y-85可用于存储设备配置信息和报警记录,确保在断电情况下仍能保留关键数据。此外,该芯片还可用于电力管理系统中的电能计量数据存储,以及嵌入式系统中的实时数据缓存。
  由于其高可靠性和宽温度范围,DS1245Y-85也常用于航空航天、汽车电子等对环境适应性要求较高的领域。例如,在车载记录设备中用于存储行驶数据,或在卫星通信系统中用于缓存关键信息。

替代型号

[
   "DS1245Y-70",
   "DS1245Y-100",
   "DS1246Y-85"
  ]

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DS1245Y-85参数

  • 标准包装11
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量1M (128K x 8)
  • 速度85ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳32-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装32-EDIP
  • 包装管件