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DS1245Y-120IND 发布时间 时间:2025/5/15 12:13:54 查看 阅读:11

DS1245Y-120IND是一款基于Dallas Semiconductor(现为Maxim Integrated)设计的非易失性实时时钟/日历芯片。该芯片集成了RTC(实时时钟)、SRAM存储器和非易失性存储功能,利用锂电池备份技术确保在主电源断电情况下数据和时间信息不丢失。DS1245Y系列以其高精度、低功耗和小型化设计广泛应用于嵌入式系统、计算机外设、消费电子等领域。
  该型号支持I2C接口通信协议,具备可编程报警功能和时钟中断输出,非常适合需要精确时间和日期管理的应用场景。

参数

工作电压:3.0V至5.5V
  备用电池电压:2.0V至3.6V
  I2C总线速度:最高400kHz
  存储容量:512字节NV-SRAM
  时钟精度:±2ppm(25°C时典型值)
  封装形式:SOIC-8
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  待机电流:小于500nA

特性

DS1245Y-120IND的主要特点是结合了高精度实时时钟与非易失性存储器功能。其内置的512字节NV-SRAM可以在主电源断开时依靠锂电池继续保存数据。
  芯片具有可编程报警和中断输出功能,允许用户设置特定的时间触发事件。此外,它支持世纪位(Century Bit),能够正确记录跨越世纪的时间变化。
  DS1245Y还具备低功耗模式,在备用电池供电时依然保持极低的工作电流,延长电池寿命。I2C接口简化了与微控制器或其他设备的连接,易于集成到各种系统中。

应用

这款芯片适用于需要可靠时间戳记录和数据存储的场合,例如:
  1. 工业自动化设备中的时间标记功能
  2. 医疗设备的数据记录模块
  3. POS终端和其他金融支付系统的交易时间追踪
  4. 嵌入式计算机主板上的实时时钟解决方案
  5. 消费电子产品如打印机、扫描仪等的时间管理单元
  6. 数据记录仪和监控系统中的时间同步组件

替代型号

DS1245L-120, DS1245Y-120, DS1245Z-120

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DS1245Y-120IND参数

  • 标准包装11
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量1M (128K x 8)
  • 速度120ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳32-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装32-EDIP
  • 包装管件