DS1245W-070IND+ 是 Maxim Integrated 生产的一款非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)。它具有高速 CMOS 静态 RAM 和集成电池开关,能够在主电源断电时保留数据。该芯片采用 SOP 封装,适用于需要高可靠性数据存储的应用场景。
DS1245W-070IND+ 的 NVSRAM 技术结合了 SRAM 的速度与非易失性存储的能力,使其非常适合工业、医疗和通信等领域的应用。
存储容量:64K x 8 bits
工作电压:4.5V 至 5.5V
待机电流:最大 20μA
写入时间:异步写入,无延迟
数据保持时间:超过10年(在电池供电情况下)
封装类型:300 mil SOIC
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数量:8
DS1245W-070IND+ 具备以下主要特性:
1. 内置电池切换电路,可在主电源失效时自动切换到备用电池供电,确保数据不丢失。
2. 高速存取能力,支持全静态操作,无需刷新。
3. 数据保存可靠,即使在掉电的情况下也能通过内置电池维持数据完整性。
4. 引脚兼容传统 SRAM 芯片,便于系统升级或替换。
5. 提供硬件写保护功能,防止意外写入导致的数据损坏。
6. 可靠的工业级性能,适合恶劣环境下的应用。
DS1245W-070IND+ 广泛应用于对数据存储可靠性要求较高的领域,例如:
1. 工业控制设备中的配置和状态数据存储。
2. 医疗仪器中关键参数的实时记录。
3. 通信系统中的临时数据缓存和恢复。
4. 计量设备中的数据日志记录。
5. 任何需要在断电后仍能保持数据完整性的电子系统。
DS1245L, DS1245W-070+, DS1245W-070IHM+