时间：2025/5/29 22:52:32
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DS1245AB-120IND+ 是一款由 Maxim Integrated 生产的非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)，它结合了高速 SRAM 和非易失性存储技术。该芯片可以在断电时通过电池备份保留数据，同时支持快速写入和读取操作。DS1245AB-120IND+ 采用 SOIC 封装，适用于需要高可靠性、快速访问时间以及数据保持能力的应用场景。
这款 NVSRAM 提供了 32K x 8 的存储容量，并具有自动切换功能，能够在主电源正常工作时使用 SRAM 模式，在主电源失效时切换到电池供电模式以保存数据。
存储容量：32K x 8 bits
封装类型：SOIC-28
工作电压：Vcc：4.5V 至 5.5V，Vbat：2.7V 至 3.6V
数据保持时间：10 年（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
访问时间：70ns（最大值）
写周期：无限制（SRAM 模式下）
引脚数量：28
备用电池输入：支持
非易失性保护：硬件控制
DS1245AB-120IND+ 具备以下主要特性：
1. 高速 SRAM 存储单元与非易失性存储技术相结合，确保在系统断电时能够可靠地保存关键数据。
2. 支持双电源输入，包括主电源 (Vcc) 和备用电池电源 (Vbat)，实现无缝切换。
3. 内置硬件控制的非易失性保护机制，防止意外写入或覆盖重要数据。
4. 快速访问时间（70ns 最大值），适合对速度要求较高的应用。
5. 宽工作温度范围 (-40°C 至 +85°C)，适用于工业和商业环境。
6. 数据保持时间长达 10 年，保证长期存储可靠性。
7. 简化的接口设计，便于集成到各种嵌入式系统中。
DS1245AB-120IND+ 芯片广泛应用于需要高可靠性数据存储和快速访问的场景，例如：
1. 工业自动化设备中的配置参数存储。
2. 医疗设备的数据记录与日志保存。
3. 计量仪表（如电表、水表等）的累计数据存储。
4. 通信设备的关键信息备份。
5. 数据采集系统中的临时数据缓冲。
6. 嵌入式控制系统中的固件更新及状态跟踪。
由于其具备电池备份功能和较长的数据保持时间，DS1245AB-120IND+ 成为许多需要长期数据保存应用的理想选择。
DS1245B-120+, DS1245A-120, DS1245-120
