时间：2025/7/24 9:42:49
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DS1245AB-070 是由 Maxim Integrated（原 Dallas Semiconductor）生产的一款非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）芯片。该器件结合了高速SRAM与非易失性存储技术，能够在断电情况下通过内置锂电池或超级电容保存数据，确保数据在电源中断时不丢失。DS1245AB-070 提供了512K x 8位（即4Mbit）的存储容量，适用于需要高可靠性数据存储的应用场景。
容量：4Mbit
组织结构：512K x 8
电源电压：3.3V 或 5V
访问时间：70ns
工作温度范围：0°C 至 +70°C
封装类型：TSOP
数据保持电流（典型值）：1.5mA（VCC=3.3V）
写保护功能：硬件写保护（WP 引脚）
电池供电模式：支持锂电池或超级电容
DS1245AB-070 具有高速访问时间和低功耗的特点，其SRAM部分在正常供电下可以像标准SRAM一样高速读写。在主电源断电时，内部逻辑自动将数据保存到非易失性存储单元中，使用内置电池或超级电容维持数据完整性。芯片支持硬件写保护功能，防止在电源不稳定期间对存储器的误写入操作。其电源电压可为3.3V或5V，兼容多种系统设计需求，适用于需要数据持久性与高性能并存的工业、通信及消费类电子产品。
此外，DS1245AB-070 采用TSOP封装，节省空间，适合便携式和高密度电路板设计。其电池供电模式设计灵活，可通过外部电容或电池实现数据保持功能，适用于嵌入式系统、数据记录设备和关键数据存储模块。
DS1245AB-070 主要应用于需要非易失性高速数据存储的场合，如工业控制系统、数据采集设备、医疗仪器、通信设备、POS终端以及嵌入式系统中的关键数据缓冲区。由于其在断电后仍能保持数据完整性，该芯片常用于替代传统的带电池供电的SRAM或EEPROM，提高系统可靠性与稳定性。
DS1245AY-070, DS1245AB-100, DS1246AB-070
