DS1244Y70 是由 Maxim Integrated(原 Dallas Semiconductor)生产的一款低功耗、非易失性静态随机存取存储器(NV SRAM)模块。该器件将 SRAM 与非易失性存储技术结合,通过内置锂电池在断电时自动保存数据,确保数据不会丢失。DS1244Y70 具有 8KB 的存储容量,适用于需要数据持久性保障的应用场合。该芯片采用 28 引脚 DIP 或 SOIC 封装,支持工业级工作温度范围。
容量:8 KB
电源电压:5V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
封装类型:28 引脚 DIP 或 SOIC
访问时间:70ns
数据保存电流(典型值):100nA
电池电压监测:支持
数据保存机制:自动切换至锂电池供电
接口类型:并行接口(8位)
DS1244Y70 的核心特性之一是其内置锂电池,能够在主电源断开时自动为 SRAM 供电,从而保持数据不丢失。这种非易失性机制无需外部电池或额外的电源管理电路,大大简化了系统设计。
该器件的访问时间为 70ns,适用于需要快速数据访问的实时系统。其 SRAM 部分可以像普通静态存储器一样进行高速读写操作,而数据保存功能则通过内部的锂电池实现,确保即使在系统掉电的情况下数据也能保留多年。
DS1244Y70 还集成了电源监测电路,能够在主电源电压下降到临界值以下时自动切换到锂电池供电,确保数据的完整性。此外,该器件支持软件和硬件控制的数据保护机制,防止误写操作。
由于其高可靠性和易于集成的特性,DS1244Y70 常用于工业控制、仪表、数据采集系统、医疗设备以及需要数据持久性保障的嵌入式应用。
DS1244Y70 主要应用于需要在断电情况下保持数据完整性的系统中。例如,在工业控制系统中,它可用于存储关键的运行参数或状态信息;在仪表和测量设备中,可用于记录校准数据或历史测量值;在医疗设备中,可用于保存患者数据或设备配置信息。
此外,DS1244Y70 也常用于数据采集系统,作为缓存存储器,以确保在突发断电时采集到的数据不会丢失。在嵌入式系统中,该器件可用于保存引导代码或关键的系统设置,提高系统的可靠性和可恢复性。
在金融设备、安防系统和通信设备中,DS1244Y70 也被广泛用于日志记录、配置存储和安全数据保存。
DS1245Y70, DS1248Y70