DS1243Y是一款由Maxim Integrated生产的非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM)。该芯片结合了高速SRAM和非易失性铁电存储技术,能够在断电后保存数据。它具有快速写入、低功耗以及高可靠性的特点,适用于需要频繁数据记录的应用场景。
DS1243Y-200IND是其一种具体封装形式,采用SOIC-8封装,工作电压范围为2.7V至5.5V。
容量:32Kbit
组织方式:4096x8
工作电压:2.7V至5.5V
工作温度:-40°C至+85°C
封装形式:SOIC-8
数据保持时间:超过10年
读写耐久性:超过10^12次
DS1243Y系列的NVSRAM提供了一个独特的功能组合,使其非常适合于需要频繁且快速数据记录的工业和消费类应用。主要特性包括:
1. 非易失性数据存储:在断电情况下能够保存数据,无需后备电池支持。
2. 快速写入速度:与传统EEPROM相比,写入速度显著提升。
3. 低功耗操作:具备低功耗待机模式,减少能源消耗。
4. 高可靠性:可承受超过10^12次的读写周期,确保长期稳定运行。
5. 广泛的工作电压范围:2.7V到5.5V的宽电压范围,增强了灵活性和兼容性。
6. 小型化设计:SOIC-8封装节省空间,适合紧凑型系统设计。
由于其卓越的性能,DS1243Y被广泛应用于以下领域:
1. 工业控制:如PLC、DCS等系统中的配置参数存储。
2. 消费电子:如打印机、扫描仪中的固件和配置数据存储。
3. 计量设备:如智能仪表中用于关键数据的备份和存储。
4. 医疗设备:如监护仪中的病人数据记录。
5. 通信设备:如路由器、交换机中的日志数据存储。
6. 数据记录仪:用于实时数据采集和存储。
DS1243Y-100
DS1243Y-500
DS1243Y-1000