时间：2025/5/9 9:35:04
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DS1230Y-100+ 是一款由 Maxim Integrated 生产的非易失性 SRAM (NVSRAM) 芯片。该芯片结合了静态随机存取存储器 (SRAM) 和非易失性存储技术，能够在系统断电时通过内部的 EEPROM 自动保存 SRAM 中的数据。它具有高可靠性、低功耗和快速访问时间等特点，广泛应用于需要数据保护和快速存取的工业、医疗及通信领域。
DS1230Y-100+ 提供 32K x 8 位的存储容量，并支持 I2C 接口进行数据传输。其封装形式为 SOIC-8 和 TSSOP-8，适用于多种电路设计环境。
存储容量：32K x 8位
工作电压：1.8V 至 5.5V
接口类型：I2C
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保持时间：超过10年
写入周期：无限制
封装形式：SOIC-8, TSSOP-8
DS1230Y-100+ 具有以下主要特性：
1. 非易失性 SRAM 技术，确保在断电情况下数据不丢失。
2. 内置电池备份功能（可选），进一步增强数据安全性。
3. 支持高达 1MHz 的 I2C 快速模式通信，适合高速应用。
4. 自动数据保存功能，在电源故障时无需额外指令即可保存 SRAM 数据。
5. 高可靠性和长寿命，能够承受多次读写操作而不降低性能。
6. 小型封装选项，便于集成到紧凑型设计中。
DS1230Y-100+ 广泛应用于需要高可靠性数据存储和快速访问的应用场景，包括但不限于：
1. 工业自动化设备中的数据记录与配置存储。
2. 医疗设备中的患者数据保存和日志记录。
3. 通信系统中的临时数据缓存和断电保护。
4. 消费类电子产品中的设置参数保存。
5. 嵌入式系统的实时数据备份与恢复。
DS1230Y-100, DS1230Z-100+
