时间：2025/5/23 5:53:39
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DS1225Y-85IND是一款来自Maxim Integrated的双通道非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）。这种芯片结合了高速SRAM和非易失性存储功能，能够在系统断电时自动将数据保存到内部的非易失性存储器中。该芯片使用 Maxim 的专利技术来确保在电源中断时数据的安全性和完整性。DS1225Y-85IND广泛应用于需要高可靠性和快速访问的数据记录场景。
该芯片采用SOIC封装，适合工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），非常适合需要高稳定性的应用环境。
容量：2K x 8 位
接口类型：并行
工作电压：5V
数据保持时间：10年（典型值）
写入周期：无需额外写入周期
访问时间：70ns
封装形式：SOIC-8
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数量：8
DS1225Y-85IND具备以下显著特性：
1. 非易失性存储：通过集成电池备份或超级电容支持，确保数据在断电情况下不会丢失。
2. 高速读/写性能：与普通SRAM相同的速度进行数据访问，无需等待写入周期。
3. 自动数据保护：当检测到电源故障时，芯片会自动将SRAM中的数据转移到非易失性存储部分。
4. 简化设计：无需外部控制器或管理逻辑即可实现非易失性存储功能。
5. 高可靠性：经过严格测试以保证数据完整性和长期稳定性，适用于恶劣环境下的关键任务应用。
DS1225Y-85IND主要应用于需要频繁写入和长时间数据保存的场合，包括但不限于以下领域：
1. 工业自动化设备：如PLC、人机界面等，用于保存配置参数和运行状态。
2. 医疗设备：如监护仪、超声波设备等，用作数据日志记录。
3. 计量仪器：如智能电表、水表等，保存计量数据以防断电丢失。
4. 通信系统：路由器、交换机等网络设备中的临时数据缓存。
5. 数据采集模块：实时保存传感器数据以备后续分析。
DS1225Y-85+, DS1225Y-85G, DS1225Y-85N
