DS1225Y-200 是 Maxim Integrated 生产的一款非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM),它结合了标准 SRAM 的高速性能与非易失性存储功能。该器件具有电池备份选项,可以在主电源断电时保护数据完整性。DS1225Y-200 采用 CMOS 工艺制造,提供低功耗和高可靠性,适用于需要频繁写入和长期数据保存的应用场景。
DS1225Y-200 提供 32K x 8 位的存储容量,总容量为 256Kb,并支持多种工业标准接口协议。其设计注重耐用性和抗干扰能力,在恶劣环境下依然能够保持稳定工作。
存储容量:256Kb
组织结构:32K x 8
工作电压范围:4.5V 至 5.5V
待机电流:小于 5μA(典型值)
读/写周期:70ns(最大值)
封装形式:28 引脚 SOIC、PDIP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据保留时间:大于 10 年(在电池供电情况下)
DS1225Y-200 具有以下主要特性:
1. 高速读写性能,支持高达 70ns 的访问时间。
2. 集成了非易失性存储功能,可确保数据在断电后不会丢失。
3. 支持电池备份模式,允许用户在主电源失效时继续保存关键数据。
4. 极低的功耗设计,尤其在待机状态下电流消耗极小。
5. 宽工作温度范围,适应各种工业环境。
6. 高可靠性,能够承受多次读写操作而不会影响数据完整性。
7. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备的要求。
8. 提供多种封装选择,便于灵活集成到不同类型的电路板中。
DS1225Y-200 因其高性能和非易失性存储能力,广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化系统中的配置参数存储。
2. 医疗设备的数据记录与备份。
3. 通信设备的关键信息保存。
4. 计量仪表(如智能电表)中的历史数据存储。
5. 嵌入式系统中的固件或临时数据保存。
6. 航空航天及国防领域的高可靠性存储需求。
7. POS 终端和其他金融设备的数据日志存储。
其快速响应时间和高可靠性使其成为许多实时数据采集和控制系统的核心组件。
DS1225Y-100, DS1225Y+