DS1225Y-150+ 时间：2025/4/29 19:04:44 阅读：26

DS1225Y-150+ 是一款由 Maxim Integrated（现为 Analog Devices）生产的双通道非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)，具有掉电保护功能。它集成了高速 CMOS SRAM 和锂电池，能够在系统断电时自动切换到备用电源以保存数据。DS1225Y-150+ 的工作电压范围为 4.5V 至 5.5V，具有低功耗特性，适合需要长时间数据保持的应用场景。
　　该芯片采用 SOIC-8 封装形式，适用于工业控制、仪表设备、通信系统以及数据记录等需要高可靠性和非易失性存储的场合。

参数

工作电压：4.5V 至 5.5V
　　存储容量：256 字节（两个独立的 128 字节通道）
　　数据保持时间：10 年（典型值，在电池支持下）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　写入周期：无限制（SRAM 特性）
　　封装形式：SOIC-8
　　引脚间距：1.27mm

特性

DS1225Y-150+ 提供了高可靠性与便捷性的非易失性存储解决方案。
　　1. 双通道设计：分为两个独立的 128 字节存储区域，便于分区管理数据。
　　2. 掉电保护：在主电源失效时，内置锂电池会无缝接管供电，确保数据完整性。
　　3. 快速读写速度：基于 SRAM 技术，访问时间极短，满足实时应用需求。
　　4. 长寿命数据保持：即使在没有外部电源的情况下，数据仍能保存长达十年。
　　5. 简化设计：无需额外的控制电路或复杂的编程操作即可使用。
　　6. 节省空间：SOIC-8 小型封装非常适合对尺寸敏感的设计。

应用

DS1225Y-150+ 主要应用于需要稳定性和非易失性存储的关键领域：
　　1. 工业自动化设备：如 PLC 控制器中的数据日志记录和参数保存。
　　2. 医疗设备：例如监护仪和诊断设备中的病人数据存储。
　　3. 计量仪表：智能电表、水表和气表中用于累积数据存储。
　　4. 数据采集系统：在远程监控节点中存储关键测量数据。
　　5. 通信系统：网络设备中的配置文件和状态信息存储。
　　6. 嵌入式系统：通用嵌入式控制器的数据暂存和恢复。