DS1225AD 时间：2025/7/25 5:42:20 阅读：8

DS1225AD 是由 Maxim Integrated（原 Dallas Semiconductor）生产的一款非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）芯片。它结合了高速SRAM存储器和内置的锂电池供电功能，能够在主电源断开时保持数据不丢失，常用于需要数据保持能力的嵌入式系统中。该芯片具有512K位（64K x 8）的存储容量，适用于工业控制、通信设备、智能仪表等应用。

参数

容量：64K x 8 位（512 Kbit）
　　电源电压：5V 工作电压范围
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　访问时间：最大 20 ns
　　封装形式：28引脚 DIP 或 SOP
　　数据保持电流：典型值 500 nA
　　写保护功能：硬件写保护引脚（WP）
　　电池电压监测：内置电压监测电路
　　数据保持时间：典型值 10 年（在 +70°C 下）

特性

DS1225AD 的核心特性在于其非易失性数据保持能力，其内部集成了一个锂电池，在主电源断电时自动切换至电池供电，从而保证SRAM中的数据不丢失。该芯片采用高速CMOS技术，访问时间快至20 ns，适用于高速缓存或实时数据存储场景。
　　此外，DS1225AD 提供了硬件写保护功能，当WP引脚被拉高时，可以防止在电源下降或系统不稳定期间对存储器进行意外写入。芯片内置的电压监测电路能够在电源电压下降到设定阈值以下时，自动启用写保护并切换至电池供电，确保数据完整性。
　　该芯片的封装形式包括28引脚DIP和SOP，方便在不同应用场景中使用，并具有良好的工业级温度适应能力（-40°C至+85°C），适合用于各种工业和通信设备中。

应用

DS1225AD 常用于需要非易失性高速存储的应用场景，如工业控制系统中的参数存储、通信设备中的配置信息保存、智能仪表的数据记录、医疗设备中的校准数据存储等。
　　由于其具备高速访问能力和断电数据保持功能，该芯片在需要频繁读写且不能容忍数据丢失的场合具有显著优势。例如，在嵌入式控制器中，DS1225AD 可作为高速缓存或非易失性数据存储器，确保系统在断电后仍能保留关键数据。
　　此外，DS1225AD 也常用于需要长期保存时间戳、操作记录或安全数据的设备中，如安防系统、自动售货机控制器、电力监测设备等。