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DS1225AD-70+ 发布时间 时间:2025/5/23 17:36:58 查看 阅读:14

DS1225 是一款双通道、低功耗的 CMOS 静电放电 (ESD) 保护器件,旨在为高速数据线提供强大的瞬态电压抑制功能。该器件具有极低的电容特性,能够确保信号完整性同时防止电气过应力损坏。DS1225AD-70+ 是 DS1225 系列中的一个特定封装和等级版本,适用于各种消费类电子设备、通信接口以及其他需要 ESD 保护的应用场景。
  该器件使用二极管阵列结构设计,可有效钳位瞬态电压,从而保护后端电路免受因 ESD、雷击或负载突降等事件引起的电压尖峰损害。

参数

工作电压:±20kV(空气放电)
  工作电压:±15kV(接触放电)
  动态阻抗:≤5Ω
  电容:1.3pF(典型值)
  最大工作电压:±40V
  峰值脉冲电流:±3A
  响应时间:<1ns
  封装形式:SOT-23-6

特性

DS1225AD-70+ 提供了出色的 ESD 保护性能,其主要特性如下:
  1. 极低的负载电容(1.3pF 典型值),适合高速数据线路。
  2. 快速响应时间(小于 1ns),可以及时钳位瞬态电压。
  3. 高度可靠的双向保护功能,适用于差分信号线。
  4. 符合 IEC 61000-4-2 国际标准,支持高达 ±15kV 接触放电和 ±20kV 空气放电。
  5. 小巧的 SOT-23-6 封装,便于在紧凑型设计中使用。
  6. 工作电压范围宽,适应多种应用场景。
  7. 无铅环保设计,符合 RoHS 标准。

应用

DS1225AD-70+ 广泛应用于需要 ESD 保护的各类电子系统中,包括但不限于以下领域:
  1. USB 2.0 和其他高速数据接口。
  2. HDMI、DisplayPort 和其他多媒体接口。
  3. 移动设备(如智能手机和平板电脑)中的射频和音频线路保护。
  4. 工业控制和自动化设备中的通信总线保护。
  5. 计算机外设和网络设备的接口保护。
  6. 汽车电子系统中的传感器和控制模块保护。

替代型号

DS1225Y-70+, SMAJ36A, PESD2V8KGQSL

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DS1225AD-70+参数

  • 产品培训模块Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • 标准包装12
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量64K (8K x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装28-EDIP
  • 包装管件