容量：64K x 8位（512Kb）
　　电源电压：5V
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　访问时间：85ns
　　封装类型：28引脚 DIP
　　数据保持电流：典型值10μA
　　写保护功能：硬件写保护
　　电池寿命：10年以上（典型）

DS1225AB85 的核心优势在于其集成的非易失性存储技术。芯片内部包含一个高速SRAM阵列和一个锂电池，当主电源下降至低于阈值电压时，内部控制电路会自动将SRAM切换至由锂电池供电，确保数据不会丢失。此外，该器件具备硬件写保护功能，当VCC电压低于设定阈值时，自动禁止对SRAM的写入操作，防止数据损坏。其高速访问时间（85ns）使其适用于需要快速数据存取的系统。DS1225AB85 采用标准28引脚DIP封装，引脚兼容于标准的SRAM芯片，便于替换和升级。该器件在数据存储可靠性方面表现优异，适合用于工业控制、医疗设备、通信设备、智能仪表等需要断电数据保持的场合。
　　在电气特性方面，DS1225AB85 的工作电压为5V ±10%，在标准操作条件下可提供稳定的性能。其低功耗设计使得在电池模式下的电流消耗极低（典型值为10μA），从而延长了内置电池的使用寿命。此外，该芯片内置的电池在正常使用条件下可维持数据存储长达10年以上，大大减少了维护和更换频率。DS1225AB85 的设计还考虑了电磁兼容性（EMC）和抗干扰能力，确保其在复杂电磁环境中的稳定运行。

DS1225AB85 主要应用于需要非易失性数据存储和断电数据保持的系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统、数据采集设备、智能电表、医疗监测设备、安全系统、通信基站、嵌入式控制器等。由于其高可靠性和长数据保持时间，DS1225AB85 也常被用于需要频繁写入和读取操作的场合，例如日志记录器、缓存存储器以及实时数据存储系统。此外，该芯片还可作为传统EEPROM或Flash存储器的高性能替代方案，避免了写入延迟和擦写寿命限制的问题。

DS1225YB85, DS1225AD85, DS1225AY85