DS1225是一款低功耗、CMOS静态RAM (SRAM),具有非易失性数据保护功能。它集成了一个锂电池和控制器电路,能够在系统电源中断时保持存储的数据不丢失。该芯片采用8引脚DIP或SO封装,广泛用于需要可靠数据存储的场景。
工作电压:4.5V至5.5V
存储容量:256 x 8位(2KB)
数据保留时间:10年(典型值)
访问时间:70ns
工作温度范围:0°C至+70°C
封装形式:8引脚DIP/SO
DS1225AB-70具有快速访问时间和低功耗的特点。
它内置锂电池管理电路,当主电源掉电时,能够自动切换到电池供电模式,确保数据完整性。
其非易失性功能非常适合需要长时间保存关键数据的应用。
此外,DS1225AB-70还具备高可靠性,能够在多次读写操作中保持数据一致性。
芯片设计优化了功耗,在待机模式下电流消耗极低,适合便携式设备。
DS1225AB-70适用于各种需要稳定数据存储的场合,包括仪表仪器、工业控制、通信设备和消费类电子产品。
具体应用如:
1. 工业控制器中的参数配置存储。
2. 医疗设备中的病人数据记录。
3. 计量仪表中的校准数据和历史记录保存。
4. POS终端中的交易数据缓存。
由于其非易失性和高可靠性,它在断电敏感型设备中表现尤为突出。
DS1225Y-70
DS1225AB-50
XR2225-70