您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DS1225AB-70

DS1225AB-70 发布时间 时间:2025/5/7 16:39:28 查看 阅读:8

DS1225是一款低功耗、CMOS静态RAM (SRAM),具有非易失性数据保护功能。它集成了一个锂电池和控制器电路,能够在系统电源中断时保持存储的数据不丢失。该芯片采用8引脚DIP或SO封装,广泛用于需要可靠数据存储的场景。

参数

工作电压:4.5V至5.5V
  存储容量:256 x 8位(2KB)
  数据保留时间:10年(典型值)
  访问时间:70ns
  工作温度范围:0°C至+70°C
  封装形式:8引脚DIP/SO

特性

DS1225AB-70具有快速访问时间和低功耗的特点。
  它内置锂电池管理电路,当主电源掉电时,能够自动切换到电池供电模式,确保数据完整性。
  其非易失性功能非常适合需要长时间保存关键数据的应用。
  此外,DS1225AB-70还具备高可靠性,能够在多次读写操作中保持数据一致性。
  芯片设计优化了功耗,在待机模式下电流消耗极低,适合便携式设备。

应用

DS1225AB-70适用于各种需要稳定数据存储的场合,包括仪表仪器、工业控制、通信设备和消费类电子产品。
  具体应用如:
  1. 工业控制器中的参数配置存储。
  2. 医疗设备中的病人数据记录。
  3. 计量仪表中的校准数据和历史记录保存。
  4. POS终端中的交易数据缓存。
  由于其非易失性和高可靠性,它在断电敏感型设备中表现尤为突出。

替代型号

DS1225Y-70
  DS1225AB-50
  XR2225-70

DS1225AB-70推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DS1225AB-70资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

DS1225AB-70参数

  • 标准包装12
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量64K (8K x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.75 V ~ 5.25 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装28-EDIP
  • 包装管件