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DS1225AB-200 发布时间 时间:2025/6/5 8:36:55 查看 阅读:6

DS1225AB-200 是一款由 Maxim Integrated 生产的双通道非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM),具有独立的存储区域和高速 CMOS SRAM 结构。它结合了 SRAM 的快速访问速度与非易失性存储技术,能够在断电时通过连接到外部电池或超级电容保持数据完整性。
  该芯片适用于需要高可靠性、快速数据记录和断电保护的应用场景,例如工业控制、医疗设备、通信系统以及数据记录器等。

参数

容量:32K x 8位(32KB)
  工作电压:3V 至 5.5V
  数据保持电压:1.8V 至 5.5V
  访问时间:55ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:SOIC-8

特性

DS1225AB-200 具有以下主要特性:
  1. 高速 SRAM 接口,支持快速读写操作。
  2. 非易失性存储功能,确保在断电情况下数据不会丢失。
  3. 自动断电检测电路,在主电源失效时自动切换到备用电源。
  4. 内置写保护机制,防止意外写入或覆盖重要数据。
  5. 支持无限次读/写循环,无需像闪存那样考虑擦除次数限制。
  6. 超低功耗设计,适合便携式和电池供电设备。
  7. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。

应用

DS1225AB-200 主要应用于以下领域:
  1. 工业自动化中的数据日志记录和配置存储。
  2. 医疗设备中关键参数的实时保存。
  3. 通信网络设备的数据缓冲与断电保护。
  4. 计量仪器和仪表中的历史数据记录。
  5. 汽车电子系统中的事件数据记录。
  6. 任何需要高可靠性、快速响应及非易失性存储解决方案的应用场景。

替代型号

DS1225AB-100, DS1225B-200

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DS1225AB-200参数

  • 标准包装12
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量64K (8K x 8)
  • 速度200ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.75 V ~ 5.25 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装28-EDIP
  • 包装管件
  • 其它名称DS1225AB200