DS1225AB-200 是一款由 Maxim Integrated 生产的双通道非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM),具有独立的存储区域和高速 CMOS SRAM 结构。它结合了 SRAM 的快速访问速度与非易失性存储技术,能够在断电时通过连接到外部电池或超级电容保持数据完整性。
该芯片适用于需要高可靠性、快速数据记录和断电保护的应用场景,例如工业控制、医疗设备、通信系统以及数据记录器等。
容量:32K x 8位(32KB)
工作电压:3V 至 5.5V
数据保持电压:1.8V 至 5.5V
访问时间:55ns(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:SOIC-8
DS1225AB-200 具有以下主要特性:
1. 高速 SRAM 接口,支持快速读写操作。
2. 非易失性存储功能,确保在断电情况下数据不会丢失。
3. 自动断电检测电路,在主电源失效时自动切换到备用电源。
4. 内置写保护机制,防止意外写入或覆盖重要数据。
5. 支持无限次读/写循环,无需像闪存那样考虑擦除次数限制。
6. 超低功耗设计,适合便携式和电池供电设备。
7. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。
DS1225AB-200 主要应用于以下领域:
1. 工业自动化中的数据日志记录和配置存储。
2. 医疗设备中关键参数的实时保存。
3. 通信网络设备的数据缓冲与断电保护。
4. 计量仪器和仪表中的历史数据记录。
5. 汽车电子系统中的事件数据记录。
6. 任何需要高可靠性、快速响应及非易失性存储解决方案的应用场景。
DS1225AB-100, DS1225B-200