时间：2025/6/5 8:36:55
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DS1225AB-200 是一款由 Maxim Integrated 生产的双通道非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)，具有独立的存储区域和高速 CMOS SRAM 结构。它结合了 SRAM 的快速访问速度与非易失性存储技术，能够在断电时通过连接到外部电池或超级电容保持数据完整性。
该芯片适用于需要高可靠性、快速数据记录和断电保护的应用场景，例如工业控制、医疗设备、通信系统以及数据记录器等。
容量：32K x 8位（32KB）
工作电压：3V 至 5.5V
数据保持电压：1.8V 至 5.5V
访问时间：55ns（典型值）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOIC-8
DS1225AB-200 具有以下主要特性：
1. 高速 SRAM 接口，支持快速读写操作。
2. 非易失性存储功能，确保在断电情况下数据不会丢失。
3. 自动断电检测电路，在主电源失效时自动切换到备用电源。
4. 内置写保护机制，防止意外写入或覆盖重要数据。
5. 支持无限次读/写循环，无需像闪存那样考虑擦除次数限制。
6. 超低功耗设计，适合便携式和电池供电设备。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
DS1225AB-200 主要应用于以下领域：
1. 工业自动化中的数据日志记录和配置存储。
2. 医疗设备中关键参数的实时保存。
3. 通信网络设备的数据缓冲与断电保护。
4. 计量仪器和仪表中的历史数据记录。
5. 汽车电子系统中的事件数据记录。
6. 任何需要高可靠性、快速响应及非易失性存储解决方案的应用场景。
DS1225AB-100, DS1225B-200
