DS1225AB-120IND 是一款由 Maxim Integrated 生产的双通道 CMOS 静电存储器 (SRAM),采用静态随机存取存储器技术。该芯片支持快速读写操作,具有低功耗和高可靠性的特点,适用于需要高速数据访问的各种应用场合。DS1225 系列通常用于工业控制、通信设备以及消费类电子产品中的临时数据存储。
DS1225 提供了两个独立的存储阵列,每个阵列具有 256 字节的容量,允许同时或单独访问两个通道。其工作电压范围为 4.75V 至 5.25V,并且能够在扩展的工业温度范围内稳定运行。
工作电压:4.75V 至 5.25V
存储容量:2 x 256 字节
数据保留时间:无限(静态条件下)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:PDIP、SOIC
访问时间:120ns
输入/输出电流:±20mA
静态电流:2μA(最大值,典型值为 1μA)
双通道独立存储器设计,允许同时访问两个存储区。
低功耗运行模式,在保持数据的同时消耗极少的能量。
高速访问时间(120ns),适合需要快速数据处理的应用。
宽工作电压范围(4.75V 至 5.25V),适应多种电源条件。
在工业温度范围内(-40°C 至 +85°C)保持稳定的性能表现。
兼容 TTL 和 CMOS 输入输出电平,便于与其他逻辑电路连接。
采用标准封装形式(如 PDIP 和 SOIC),易于集成到各种 PCB 设计中。
工业自动化控制系统中的数据缓冲。
通信设备中的暂存数据存储。
消费类电子产品中的快速数据缓存。
医疗设备中的实时数据记录。
嵌入式系统中的程序或变量存储。
测试测量仪器中的数据采集与存储功能。
DS1225AB-120GJC
DS1225AB-120NJC
DS1225AB-120PIE