时间：2025/7/24 16:23:45
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DS1220AB是一款由Maxim Integrated（原Dallas Semiconductor）生产的非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）芯片。该芯片结合了SRAM和锂电池供电技术，能够在外部电源断开时保持数据的完整性，从而实现非易失性存储功能。DS1220AB具有2KB（256 x 8位）的存储容量，广泛应用于需要高可靠性和数据保持能力的系统中，如工业控制、嵌入式系统、数据记录设备等。
容量：2KB（256 x 8位）
电源电压：4.75V至5.5V
工作温度范围：0°C至70°C（商业级）
封装类型：28引脚DIP或SOIC
数据保持电流：典型值10μA
读写速度：最大访问时间120ns
数据保持时间：典型10年（在电源断开情况下）
写保护功能：硬件写保护引脚（WP）
封装选项：N（塑料DIP）和S（SOIC）
DS1220AB采用内置锂电池供电技术，能够在主电源断开时自动切换至电池供电，确保数据不丢失。其SRAM部分具有高速读写性能，访问时间仅为120ns，适用于对速度有要求的应用场景。此外，芯片提供写保护功能，通过硬件引脚控制防止意外写入或擦除操作，增强数据安全性。其封装形式多样，包括28引脚DIP和SOIC，便于在不同PCB布局中使用。由于其高可靠性和低功耗特性，DS1220AB适用于长时间运行且对数据存储稳定性要求较高的系统。
在可靠性方面，DS1220AB的锂电池集成设计经过优化，能够在标准工作条件下提供长达10年的数据保持能力。芯片内部采用先进的低功耗CMOS技术，确保在正常运行和待机模式下功耗均处于较低水平。此外，其具备较强的抗干扰能力，适用于工业环境中的应用。DS1220AB还支持直接替换标准SRAM，无需额外的软件或硬件修改，简化了系统设计。
DS1220AB常用于需要数据持久存储和高速访问的嵌入式系统，例如工业自动化控制器、测试与测量设备、医疗仪器、通信设备以及电表和智能卡终端等。由于其具备写保护和低功耗特性，也非常适合用于关键数据存储、系统配置保存、日志记录等场景。此外，该芯片还可用于备份重要数据，如系统时间、运行状态、故障代码等信息。
DS1225Y、DS1220AD、DS1220BL、DS1220B、DS1220AP
