存储容量：128K位（16K x 8）
　　工作电压：4.75V 至 5.5V
　　访问时间：55ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：28引脚 SOIC
　　数据保持时间：10年（典型值）
　　读/写周期寿命：无限次

DS1012M-D50具有多项出色的特性，适用于对数据完整性要求较高的应用场景。其内置的自动存储切换电路能够在电源下降时迅速将SRAM中的数据保存到非易失性EEPROM中，从而避免数据丢失。该模块还具有高读写速度，访问时间仅为55ns，适合需要快速响应的系统应用。
　　此外，DS1012M-D50的工作电压范围较宽，支持4.75V至5.5V的电源输入，增强了其在不同环境下的适应能力。其封装形式为28引脚SOIC，便于在PCB设计中进行集成和布局。
　　在数据存储方面，其非易失性EEPROM部分具有长达10年的数据保持能力，并且支持无限次的读/写操作，大大提高了系统的稳定性和使用寿命。模块还集成了软件和硬件写保护功能，可有效防止误写操作，进一步提升数据的可靠性。

DS1012M-D50 NV SRAM模块适用于多种高可靠性数据存储需求的场合。常见的应用包括工业控制系统中的实时数据备份、通信设备中的配置信息存储、医疗设备中的患者数据记录以及金融终端设备中的交易日志保存等。由于其具备高速访问和非易失性的特点，该模块也非常适合用作嵌入式系统的临时数据缓存，确保在突发断电等异常情况下数据不会丢失。
　　此外，该器件还广泛应用于测试与测量仪器、自动化设备和智能电表等产品中，作为关键数据的长期存储解决方案。在需要频繁读写操作并且对数据安全有严格要求的应用场景中，DS1012M-D50是一个理想的选择。

DS1012M+D50, DS1012W-D50, DS1012WE+D50, CY14B116N-ZSME