时间：2025/7/24 9:51:43
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DS1000M-75 是一款由 Dallas Semiconductor（现为 Maxim Integrated）推出的基于实时时钟（RTC）和非易失性存储器（NV SRAM）的多功能集成芯片。该芯片结合了实时时钟功能和1024 x 8位的非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM），适用于需要精确计时和数据存储保护的应用。DS1000M-75 采用先进的非易失性存储技术，能够在电源断电时自动将数据保存到内部的锂电池中，确保数据不会丢失。
类型：实时时钟（RTC）与NV SRAM集成芯片
存储容量：1024 x 8 位（1KB）
接口类型：I2C 兼容串行接口
工作电压范围：4.75V 至 5.5V
工作温度范围：0°C 至 +70°C
计时精度：±2 分钟/月（在 +25°C）
电池供电时间：典型值 10 年
封装类型：28 引脚 DIP 或 SOIC
时钟功能：年、月、日、时、分、秒
报警功能：具有闹钟功能
写保护功能：硬件写保护引脚
数据保存方式：自动切换到电池供电
DS1000M-75 芯片具备多项突出特性，使其在工业控制和数据存储应用中表现优异。首先，其集成了 RTC 和 NV SRAM，能够同时提供高精度的实时时钟功能和可靠的数据存储能力。NV SRAM 的容量为 1KB，足以存储关键数据，并在断电情况下依靠内部锂电池进行数据保存，最长可达 10 年。此外，该芯片支持 I2C 总线通信接口，便于与微控制器或其他系统组件进行连接，降低了系统设计的复杂度。
在计时方面，DS1000M-75 提供年、月、日、时、分、秒等时间信息，并支持闰年自动调整功能。芯片内部集成了一个可编程的闹钟功能，可用于触发中断或唤醒系统。RTC 的计时精度较高，在 +25°C 条件下误差小于 ±2 分钟/月，确保了时间记录的准确性。
该芯片还配备了硬件写保护引脚，用户可以通过该引脚控制 NV SRAM 的写入操作，防止数据被意外修改或覆盖。此外，芯片内置的自动电源检测电路可在主电源失效时自动切换到电池供电，确保数据不会丢失。这些特性使得 DS1000M-75 在工业自动化、智能电表、医疗设备和嵌入式系统中具有广泛的应用前景。
DS1000M-75 主要应用于需要同时进行精确计时和数据存储保护的场合。例如，在工业控制系统中，它可以用于记录设备运行时间、故障事件和维护日志；在智能电表中，该芯片可用于存储电量数据并提供时间戳信息；在医疗设备中，它能够记录患者的治疗时间和数据；在嵌入式系统中，可用于系统日志存储和系统状态记录。此外，DS1000M-75 也适用于安防系统、数据采集设备以及需要断电数据保护的便携式设备。
DS12887、DS12C887、DS3231、M48T02、RV1805
