您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DRV5055A4QDBZR

DRV5055A4QDBZR 发布时间 时间:2025/5/19 11:06:07 查看 阅读:7

DRV5055A4QDBZR是德州仪器(TI)推出的一款霍尔效应锁存器传感器,具有低功耗、高灵敏度和出色的温度稳定性。该器件能够感应磁场的南北极,并在检测到磁场时提供数字输出信号。它广泛应用于需要精确位置检测和速度测量的应用中,例如电机换向、旋转编码器和接近开关等。
  DRV5055系列通过优化的磁特性提供了更灵活的设计选择,而其小型SOT-23封装使其非常适合空间受限的应用。

参数

供电电压:1.6V至5.5V
  工作温度范围:-40°C至125°C
  输出类型:开漏
  磁灵敏度:-10G@典型值
  电源电流:最大1.7mA
  响应时间:小于1μs
  封装形式:SOT-23

特性

DRV5055A4QDBZR是一款高性能霍尔效应锁存器,具备以下特点:
  1. 超低功耗设计,在整个温度范围内保持稳定性能。
  2. 高灵敏度的磁特性使得它可以检测非常微弱的磁场变化,适用于多种应用环境。
  3. 开漏输出结构允许其与各种逻辑电路兼容,支持宽范围的输出电压配置。
  4. 小型化的SOT-23封装简化了PCB布局,减少了系统体积。
  5. 宽工作电压范围和工业级温度适应能力确保其在严苛条件下的可靠性。
  6. 快速响应时间和稳定的输出信号使其非常适合动态磁场检测场景。

应用

DRV5055A4QDBZR适合用于以下应用场景:
  1. 无刷直流电机(BLDC)换向控制中的转子位置检测。
  2. 工业自动化设备中的旋转编码器和线性位移测量。
  3. 消费电子领域中的非接触式开关和按键。
  4. 汽车电子中的速度传感器和方向传感器。
  5. 医疗设备中的流量计和阀门位置监控。
  6. 家用电器中的风扇和泵控制。

替代型号

DRV5055A2QDBZR
  DRV5055A3QDBZR
  DRV5055A5QDBZR

DRV5055A4QDBZR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DRV5055A4QDBZR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥10.33000剪切带(CT)3,000 : ¥4.71032卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术霍尔效应
  • 单路
  • 输出类型模拟电压
  • 感应范围±169mT
  • 电压 - 供电3V ~ 3.63V,4.5V ~ 5.5V
  • 电流 - 供电(最大值)10mA
  • 电流 - 输出(最大值)1mA
  • 分辨率-
  • 带宽20kHz
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 特性温度补偿
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3