DRV5033FAEDBZRQ1 是一款由德州仪器(TI)推出的霍尔效应锁存传感器集成电路。它基于巨磁阻(GMR)技术,提供高灵敏度和出色的温度稳定性。该器件能够检测磁场方向的变化,并提供数字输出信号。DRV5033 系列适用于需要精确角度检测、速度测量和位置感应的应用场景。
这款芯片具有低功耗和小尺寸的特点,适合于空间受限的设计环境。其内部集成了稳压器、误差补偿电路以及短路保护功能,从而增强了系统的可靠性和鲁棒性。
供电电压:2.8V 至 5.5V
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
输出类型:推挽式CMOS 输出
静态电流:最大 7mA
响应时间:典型值 6μs
灵敏度:25mT(典型值)
封装形式:TO-92UV
DRV5033FAEDBZRQ1 的主要特性包括以下几点:
1. 高灵敏度:通过 GMR 技术实现对微弱磁场的精准检测。
2. 宽工作电压范围:支持从 2.8V 到 5.5V 的输入电压,适应多种电源条件。
3. 超低功耗:在待机模式下可显著降低电流消耗,非常适合电池供电设备。
4. 温度补偿功能:确保在整个工作温度范围内保持稳定的性能表现。
5. 推挽式 CMOS 输出:提供快速开关能力和较强的驱动能力。
6. 坚固耐用:具备 ESD 防护和短路保护机制,增强长期使用的可靠性。
7. 小型封装:采用 TO-92UV 封装,简化 PCB 布局设计。
DRV5033FAEDBZRQ1 广泛应用于各种工业和消费类领域,具体包括:
1. 角度传感器:用于电机换向或旋转编码器中进行角度测量。
2. 转速计数器:监测齿轮转速或轴的运动状态。
3. 液位传感器:通过检测浮子的位置来监控液体高度。
4. 接近开关:识别物体靠近或离开的动作。
5. 流量计:结合磁性组件测量流体流动情况。
6. 医疗器械:如呼吸机阀门控制、注射泵中的活塞位置反馈等。
7. 汽车电子:适用于 ABS 系统、变速箱位置检测及引擎管理单元等领域。
DRV5033FAIDBZRMQ1
DRV5033FAEIBZRQ1
DRV5033FAIIDBZRMQ1