DRV5032FADBZT 是德州仪器 (TI) 推出的一款霍尔效应开关传感器集成电路。该器件基于先进的 BiCMOS 工艺制造,具有高灵敏度、低功耗和出色的温度稳定性等特点。DRV5032FADBZT 能够在广泛的磁场范围内提供精确的开关点,适用于多种工业和消费类应用。
这款芯片内置了稳压器、误差放大器、斩波稳定放大器以及输出驱动器等模块,能够在恶劣的工作环境下保持可靠运行。它支持 SOP-8 封装形式,适合表面贴装工艺。
工作电压:1.6V 至 3.6V
静态电流:4μA(典型值)
输出类型:漏极开路
磁灵敏度:-35Gauss(BOP,典型值)
释放点:+35Gauss(BRP,典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
响应时间:150μs(最大值)
封装形式:SOP-8
1. 极低功耗设计,非常适合电池供电设备。
2. 内置温度补偿电路,确保在宽温范围内稳定工作。
3. 高抗扰性,能够有效抵抗外部电磁干扰。
4. 宽工作电压范围,兼容多种电源系统。
5. 精确的磁开关点和释放点,确保一致性和可靠性。
6. 提供短路保护和过温保护功能,增强系统的安全性。
7. 小型 SOP-8 封装,节省 PCB 空间。
1. 消费电子领域中的接近检测和旋转编码器。
2. 工业自动化设备中的非接触式开关和液位传感器。
3. 汽车电子系统中的速度传感器和角度传感器。
4. 家用电器中的无刷直流电机换向控制。
5. 医疗设备中的流量监控和阀门位置监测。
DRV5032HADBZT, DRV5032PADBZT