时间：2025/6/30 23:15:50
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DRV5013AGQDBZT 是一款由德州仪器（TI）生产的霍尔效应锁存器传感器。该器件采用 CMOS 技术制造，具有低功耗和高灵敏度的特点。其设计用于检测磁场的存在和方向，并通过数字输出信号提供磁场极性的信息。DRV5013 系列非常适合需要精确磁性位置检测的应用场景，例如电机换向、速度检测和旋转编码器等。该型号的封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装，便于在紧凑型设计中使用。
该芯片内置温度补偿功能，可确保在整个工作温度范围内保持稳定的性能表现。
电源电压：1.8V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
响应时间：少于 1 μs
静态电流：最大 6.5 μA（待机模式）
输出类型：开漏输出
灵敏度：典型值为 30 Gauss
DRV5013AGQDBZT 的主要特性包括：
1. 超低功耗，使其适用于电池供电设备。
2. 宽电源电压范围，支持多种应用环境。
3. 高温稳定性，即使在极端温度条件下也能保证性能一致性。
4. 内置短路保护和反向电压保护，增强了系统的可靠性。
5. 开漏输出允许直接与微控制器或逻辑电路连接。
6. 快速响应时间确保实时检测能力。
DRV5013AGQDBZT 广泛应用于各种工业和消费类电子领域，包括：
1. 直流无刷电机换向控制。
2. 速度和方向传感，如汽车轮速传感器。
3. 角度和位置检测系统。
4. 消费电子产品中的非接触式开关。
5. 流量计和其他工业自动化设备中的流量测量。
6. 安全门、翻盖和铰链检测。
DRV5013AUGDBZR, DRV5013AUGDBZT
