DRV5013AGQDBZT 是一款由德州仪器(TI)生产的霍尔效应锁存器传感器。该器件采用 CMOS 技术制造,具有低功耗和高灵敏度的特点。其设计用于检测磁场的存在和方向,并通过数字输出信号提供磁场极性的信息。DRV5013 系列非常适合需要精确磁性位置检测的应用场景,例如电机换向、速度检测和旋转编码器等。该型号的封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,便于在紧凑型设计中使用。
该芯片内置温度补偿功能,可确保在整个工作温度范围内保持稳定的性能表现。
电源电压:1.8V 至 5.5V
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
响应时间:少于 1 μs
静态电流:最大 6.5 μA(待机模式)
输出类型:开漏输出
灵敏度:典型值为 30 Gauss
DRV5013AGQDBZT 的主要特性包括:
1. 超低功耗,使其适用于电池供电设备。
2. 宽电源电压范围,支持多种应用环境。
3. 高温稳定性,即使在极端温度条件下也能保证性能一致性。
4. 内置短路保护和反向电压保护,增强了系统的可靠性。
5. 开漏输出允许直接与微控制器或逻辑电路连接。
6. 快速响应时间确保实时检测能力。
DRV5013AGQDBZT 广泛应用于各种工业和消费类电子领域,包括:
1. 直流无刷电机换向控制。
2. 速度和方向传感,如汽车轮速传感器。
3. 角度和位置检测系统。
4. 消费电子产品中的非接触式开关。
5. 流量计和其他工业自动化设备中的流量测量。
6. 安全门、翻盖和铰链检测。
DRV5013AUGDBZR, DRV5013AUGDBZT