DRV5111是德州仪器(TI)生产的一款霍尔效应锁存器,广泛应用于需要检测磁场变化的场景。它具有高灵敏度和低功耗的特点,能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。该器件采用先进的BiCMOS工艺制造,能够提供卓越的温度稳定性和抗干扰性能。
DRV5011利用霍尔效应原理检测磁场的变化,并根据磁场的方向输出相应的高低电平信号。这种特性使其非常适合用于接近开关、速度检测、位置检测等应用中。
工作电压:2.7V至36V
电源电流:典型值为4mA
磁滞:最大10mT
带宽:100kHz
响应时间:1μs
工作温度范围:-40℃至150℃
DRV5011具有以下主要特性:
1. 高灵敏度:能够检测非常微弱的磁场变化。
2. 宽工作电压范围:支持从2.7V到36V的输入电压,适用于多种供电环境。
3. 超低功耗:在待机模式下仅消耗极少的电流,适合电池供电的应用。
4. 温度补偿:内置温度补偿电路,确保在整个工作温度范围内保持稳定的性能。
5. 抗干扰能力强:对外部电磁干扰有较强的抵抗能力,保证输出信号的准确性。
6. 小封装尺寸:提供SOT-23等多种小型封装,便于PCB布局设计。
DRV5011适用于以下应用场景:
1. 接近开关:用于检测物体是否靠近某一特定位置。
2. 转速测量:通过检测旋转部件上的磁性标记闭状态监测或滑块位置指示。
4. 汽车电子:如ABS传感器、油门踏板位置传感器等。
5. 工业自动化:用于机器人关节角度检测或输送带运动监控。
6. 消费电子产品:如翻盖手机的开合检测、笔记本电脑屏幕角度检测等。
DRV5032, A1160, TL095