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DRS1-T 发布时间 时间:2025/12/27 0:22:50 查看 阅读:25

DRS1-T是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,广泛应用于低压、大电流的整流和续流场合。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低正向压降和快速开关特性,适用于高效率电源转换系统。DRS1-T的封装形式为SMA(DO-214AC),便于在印刷电路板上进行自动化贴片组装,同时具备良好的散热性能和机械稳定性。由于其优异的电气性能和紧凑的封装设计,DRS1-T被广泛用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信电源模块中。
  该二极管的主要优势在于其低功耗特性,能够在高频率工作条件下有效减少能量损耗,提升整体系统效率。此外,DRS1-T符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。器件还具备优良的反向漏电流控制能力,在高温环境下仍能保持稳定的性能表现,适合在严苛的工作环境中长期运行。

参数

产品类型:肖特基势垒二极管
  配置:单路
  是否无铅:无铅
  工作温度:-65℃ ~ 125℃
  正向电流(If):1A
  峰值重复反向电压(Vrrm):20V
  正向电压(Vf):最大500mV @ 1A
  反向恢复时间(trr):典型值 ≤ 30ns
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)

特性

DRS1-T的核心特性之一是其低正向压降,这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗,提高电源系统的整体效率。在1A的正向电流下,其最大正向压降仅为500mV,相比传统硅二极管具有明显优势。这一特性尤其适用于电池供电设备或需要节能设计的应用场景,如便携式电子设备和DC-DC转换器。低Vf不仅减少了发热,也降低了对散热结构的需求,有助于实现更紧凑的产品设计。
  另一个关键特性是其快速开关能力。作为肖特基二极管,DRS1-T没有少子存储效应,因此其反向恢复时间极短,典型值不超过30ns。这种快速响应能力使其非常适合高频开关电源、同步整流辅助电路以及防止电感负载产生反向电动势的续流保护应用。即使在高频工作条件下,也能保持较低的开关损耗,避免因反向恢复引起的电磁干扰问题。
  该器件采用SMA封装,具有良好的热传导性能和机械强度,能够在回流焊过程中稳定工作,适应现代化SMT生产工艺。其额定工作温度范围为-65℃至+125℃,可在极端环境条件下可靠运行。此外,DRS1-T具备较高的浪涌电流承受能力,能够在瞬态过载情况下提供一定的安全裕度,增强了系统的鲁棒性。所有这些特性共同确保了其在各类电源管理应用中的高性能与高可靠性。

应用

DRS1-T常用于各类直流电源系统中的整流与续流保护,典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、充电器电路以及驱动继电器或电机等电感性负载的箝位电路。由于其低正向压降和快速响应特性,特别适合用于高效率、小体积的电源模块设计中。在消费类电子产品如智能手机充电器、笔记本电脑适配器、LED驱动电源中,DRS1-T可有效提升转换效率并降低温升。此外,该器件也广泛应用于工业控制电路、通信设备电源单元以及汽车电子中的辅助电源部分。在太阳能充电控制器和便携式储能设备中,DRS1-T可用于防止电池反向放电,保障系统安全。其环保合规性和高可靠性也使其成为绿色能源和物联网设备中的优选元器件。

替代型号

SR120,127
  MBR120T1G
  1N5819WS

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DRS1-T参数

  • 标准包装1
  • 类别工业控制,仪表
  • 家庭配件
  • 系列*
  • 其它名称DRS1T