型号：DRGH875KB822
　　制造商：Vishay Siliconix
　　封装类型：16引脚 SMD DIP
　　电阻数量：8
　　标称电阻值：8.2 kΩ
　　电阻容差：±2%
　　额定功率（总）：0.64 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +155°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +155°C
　　温度系数：±300 ppm/°C
　　绝缘电阻：≥1000 MΩ
　　耐电压：500 V RMS
　　结构类型：总线型（Bussed）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS 合规

DRGH875KB822 的核心优势在于其高集成度与电气一致性。该电阻网络采用先进的厚膜制造工艺，在高纯度氧化铝陶瓷基板上通过丝网印刷方式沉积电阻浆料，随后经过高温烧结形成稳定的电阻层，并利用激光修整技术精确调节阻值，确保每一路电阻均能达到±2%的严格容差标准。这种激光微调工艺不仅提升了初始精度，还显著改善了器件在不同环境条件下的稳定性。八个电阻单元采用“总线型”拓扑结构，即所有电阻的同一端连接至一个共用引脚（通常为引脚1），而另一端分别引出至各自独立的引脚（引脚2至9或对应排列），这样的设计特别适用于微处理器地址总线、数据总线的上拉/下拉配置，能够有效抑制信号反射、提升逻辑电平的稳定性，同时减少电磁干扰（EMI）。相较于使用多个分立电阻的方案，该集成结构大幅减少了PCB布线复杂度和占用面积，提高了组装效率并降低了潜在的焊接缺陷率。
　　该器件具备出色的环境适应能力，可在-55°C至+155°C的宽温范围内稳定工作，使其适用于严苛工业环境或靠近发热源的安装位置。其±300 ppm/°C的温度系数虽然不及薄膜电阻，但在厚膜工艺中已属优良水平，足以满足大多数数字逻辑接口和通用模拟电路的需求。器件整体可承受500V RMS的耐压测试，保证了在瞬态电压冲击下的安全性。此外，其绝缘电阻大于1000MΩ，确保各电阻单元之间及对地之间具有良好的电气隔离，防止漏电流引起的误操作。封装结构采用无铅兼容材料，支持现代环保生产工艺，并能经受多次回流焊过程而不影响性能。总体而言，DRGH875KB822 在成本、性能与可靠性之间实现了良好平衡，是替代多只分立电阻的理想选择。

DRGH875KB822 主要应用于需要多个匹配电阻的数字电路系统中。典型应用场景包括各类微控制器（MCU）、现场可编程门阵列（FPGA）和复杂可编程逻辑器件（CPLD）的I/O口上拉或下拉配置，尤其在未使用的输入引脚处理时，使用该电阻排可以统一接地或接电源，避免浮空状态导致功耗增加或逻辑紊乱。在并行数据总线和地址总线接口中，该器件可用于实现阻抗匹配和信号整形，减少因线路阻抗不连续造成的信号反射，从而提升系统通信的可靠性和抗噪能力。此外，它也常用于TTL或CMOS逻辑电平转换电路中，作为上拉元件将开漏输出（Open-Drain）或集电极开路（OC门）信号转换为完整高低电平输出。
　　在通信设备如路由器、交换机和工业网关中，该电阻网络可用于RS-485、CAN等差分总线的偏置网络构建，提供稳定的共模电压参考。在消费类电子产品如电视主板、机顶盒和打印机控制板中，该器件被广泛用于按键扫描矩阵的上拉电阻组，简化电路设计并提高装配效率。在汽车电子领域，尽管其非AEC-Q200认证，但仍可用于车身控制模块（BCM）、信息娱乐系统等非安全关键部位，前提是工作环境温度在其规格范围内。此外，该器件也可用于传感器信号调理电路中的分压网络、LED驱动限流阵列以及模拟开关的预设偏置电路等模拟应用场合，体现出良好的通用性和灵活性。

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