类型：SiC肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：820 V
　　平均整流电流（IO）：10 A
　　正向压降（VF）：典型值1.7 V（在10 A, 25°C条件下）
　　非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）：150 A（单个半正弦波，60 Hz）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TS）：-55 °C 至 +175 °C
　　反向漏电流（IR）：最大50 μA（在820 V, 25°C）；高温下典型值小于1 mA（在820 V, 150°C）
　　封装形式：D-Pak（TO-252AA）
　　安装方式：表面贴装
　　热阻（RθJC）：约2.5 °C/W
　　反向恢复时间（trr）：0 ns（无反向恢复电荷）

DRGH108MB820的核心优势在于其采用碳化硅（SiC）半导体材料所赋予的卓越性能。与传统的硅基PIN二极管相比，SiC肖特基二极管不存在少数载流子存储效应，因此在关断过程中没有反向恢复电流，实现了真正的“零反向恢复时间”（trr ≈ 0）。这一特性极大地减少了开关损耗，尤其是在高频开关电源中表现尤为突出，可有效降低功率MOSFET或IGBT的开通应力，避免因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题，从而提高整个系统的可靠性和效率。
　　该器件在高温环境下的稳定性极为出色，其最大工作结温可达+175°C，远高于普通硅二极管的+150°C限制。这使得它非常适合用于紧凑型高功率密度设计，即使在散热条件受限的情况下也能安全运行。此外，其反向漏电流虽然随温度升高略有增加，但在820 V偏压下仍保持在较低水平（高温时小于1 mA），确保了在恶劣工况下的能效和安全性。
　　DRGH108MB820还具备优异的抗浪涌能力，可承受高达150 A的非重复浪涌电流，增强了对电网波动或启动冲击的耐受性。其低正向压降（典型1.7 V @ 10 A）进一步降低了导通损耗，有助于提升电源的整体转换效率。结合D-Pak封装的良好热传导性能，该器件可通过PCB铜箔有效散热，适合大规模自动化生产，广泛适用于追求高效、小型化和长寿命的现代电力电子系统。

DRGH108MB820因其高性能特性被广泛应用于各类高要求的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源中，它常用于PFC（功率因数校正）升压级和输出整流级，利用其零反向恢复特性来提升工作效率并减少EMI滤波需求。在太阳能光伏逆变器中，该二极管可用于直流侧防反接保护或MPPT电路中的续流路径，其高温稳定性和低损耗特性有助于提升全天候发电效率。
　　在电动汽车车载充电机（OBC）和充电桩电源模块中，DRGH108MB820能够满足高电压、高频率和高温运行的要求，支持更高功率密度的设计。工业用大功率开关电源、UPS不间断电源以及LED驱动电源也大量采用此类SiC二极管以实现小型化和高效化。此外，在铁路牵引系统、电机驱动器和感应加热设备中，该器件作为续流或钳位二极管使用，表现出优异的动态响应和长期可靠性。得益于其表面贴装封装形式，特别适合自动化生产和回流焊工艺，广泛服务于消费类高端电源以外的工业、能源和交通领域。

DRGH108HBM820