类型：整流二极管阵列
　　配置：共阴极或共阳极（具体取决于版本）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：150V
　　最大直流阻断电压（VR）：150V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　正向压降（VF）：典型值1.1V @ 150mA
　　反向漏电流（IR）：最大5μA @ 150V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SIP-4 或类似四引脚直插式封装
　　安装方式：通孔安装（Through-Hole）
　　焊接温度（TL）：260°C（10秒）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）

DR331-113BE具备优异的电气性能和稳定的热特性，能够在宽温度范围内保持一致的工作表现。其内部集成的多个二极管经过精确匹配，确保在高频信号处理和瞬态响应中具有良好的一致性与对称性。该器件采用了高质量的硅材料和先进的制造工艺，显著降低了正向导通压降，从而减少功耗并提升整体效率。此外，其较低的反向漏电流有助于提高电路在高温环境下的稳定性，避免因漏电增加而导致的误动作或信号失真。器件外壳采用耐高温环氧树脂封装，提供良好的机械强度和抗湿性，增强了在恶劣环境中的长期可靠性。
　　DR331-113BE还具备出色的抗静电放电（ESD）能力，能够承受一定程度的人体模型（HBM）和机器模型（MM）放电冲击，适合在自动化装配线上进行高速贴装而不易损坏。其引脚间距设计符合标准PCB布局规范，便于手工焊接与自动组装。由于其共阴极结构（或其他配置变种），该器件特别适用于需要多路信号同步整流或电平钳位的应用场景，例如音频信号处理、数字接口保护和开关电源反馈回路。同时，该器件的小型化封装使其成为替代传统分立二极管组合的理想方案，有效节省PCB空间并简化布线复杂度。
　　在可靠性方面，DR331-113BE经过严格的出厂测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环试验，确保产品在长期运行中不会出现性能衰减或早期失效。其高浪涌电流承受能力使其在面对电源启动冲击或雷击感应电压时仍能安全工作，延长系统使用寿命。此外，该器件支持回流焊和波峰焊两种焊接工艺，适应多种生产工艺流程，提升了生产灵活性和良品率。

DR331-113BE广泛应用于各类电子设备中，主要用于信号整流、电压钳位、极性保护和逻辑电平转换等电路。在通信系统中，它常用于电话线路接口、调制解调器和DSL线路保护模块，起到防止过压和反向电流的作用。在消费类电子产品如电视机、音响设备和机顶盒中，该器件被用于音频/视频信号路径的静电放电（ESD）防护和直流偏置隔离。在工业控制领域，DR331-113BE可用于PLC输入输出模块、传感器信号调理电路以及继电器驱动电路中的反电动势吸收。
　　此外，该器件也适用于电源管理单元中的多路整流需求，例如在辅助电源或待机电源中实现多通道低压交流转直流。在汽车电子中，虽然其封装形式更偏向工业级而非车规级，但仍可应用于非关键性的车载信息娱乐系统或车内照明控制电路中作为信号整流元件。在计算机外围设备如打印机、扫描仪和USB集线器中，DR331-113BE可用于数据线保护和电源极性纠正，防止因接线错误导致主控芯片损坏。
　　由于其高集成度和小尺寸特点，该器件特别适合于空间受限但需要多二极管功能的设计场合，例如便携式仪器、嵌入式控制系统和智能传感器节点。同时，其稳定的温度特性和低漏电流表现使其在高温环境下依然可靠运行，适用于户外电子设备或封闭式机箱内的散热不良区域。总之，DR331-113BE凭借其多功能性、高可靠性和易于集成的优势，已成为众多电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

DR331-113AE
　　DR331-113CE
　　MBRS340T3G
　　BAS40-04