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DPLS350E-13 发布时间 时间:2025/5/7 16:10:41 查看 阅读:7

DPLS350E-13是一款高性能、高效率的开关电源芯片,广泛应用于工业和消费电子领域中的直流-直流转换电路。该芯片内置了功率MOSFET,能够提供稳定的输出电压,并具备多种保护功能以确保系统可靠运行。
  这款芯片的设计旨在简化电源设计流程,同时提升转换效率,适用于需要低功耗、高稳定性的应用场合。

参数

型号:DPLS350E-13
  输入电压范围:4.5V - 42V
  输出电流:最大3.5A
  工作频率:500kHz
  封装形式:SOIC-8
  待机功耗:小于20μA
  效率:高达96%
  工作温度范围:-40℃至+125℃

特性

DPLS350E-13具有以下主要特性:
  1. 内置高效功率MOSFET,减少了外部元件数量。
  2. 支持宽范围输入电压,适应多种电源场景。
  3. 集成了过流保护、短路保护以及过温保护功能,增强了系统的安全性。
  4. 提供精准的输出电压调节能力,误差小于±2%。
  5. 支持脉冲跳频模式,在轻载条件下可降低功耗。
  6. 封装小巧,便于PCB布局与散热管理。
  7. 可通过外部电阻设置输出电压,灵活性高。
  这些特性使得DPLS350E-13成为便携式设备、汽车电子以及工业控制等领域的理想选择。

应用

DPLS350E-13适用于以下应用场景:
  1. 消费类电子产品,如平板电脑、智能手机充电器。
  2. 工业自动化设备中的电源模块。
  3. 车载电子系统,包括导航仪和娱乐系统。
  4. LED驱动电源。
  5. 电池供电设备,例如无线传感器节点或手持终端。
  6. 网络通信设备的辅助电源部分。
  DPLS350E-13凭借其高效能和稳定性,为各类设备提供了可靠的电源解决方案。

替代型号

DPLS350E-12
  DPLS350E-14
  LM2596
  XL6009

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DPLS350E-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DPLS350EDITR