类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：800V
　　漏极电流(Id)：30A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值0.15Ω
　　栅极电压(Vgs)：±30V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散(Pd)：200W

DPG80C300HB MOSFET具有多个关键特性，使其适用于高性能功率应用。首先，其高耐压能力（800V Vds）允许在高电压环境中使用，例如工业电源和高压逆变器系统。其次，低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了整体效率，有助于减少散热设计的复杂性。
　　此外，该器件支持高达30A的连续漏极电流，适用于高负载应用，如电机控制和功率放大器。其±30V的栅极电压耐受能力确保了在各种驱动条件下的稳定性，避免因过电压导致的栅极击穿。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于大功率应用。其200W的功率耗散能力也支持在高负荷条件下长时间稳定运行，适用于高温环境下的工业设备。
　　最后，DPG80C300HB具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统的整体能效，适用于高频开关应用，如SMPS（开关电源）和DC-DC转换器。

DPG80C300HB MOSFET适用于多种高功率和高频应用。在电源系统中，它常用于开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC转换器，以提高转换效率并减小系统尺寸。在工业控制领域，该器件可用于电机驱动器、逆变器和变频器，以实现高效能的能量转换和控制。
　　此外，DPG80C300HB也适用于新能源应用，如太阳能逆变器和风能转换系统，其中高耐压和高电流能力使其能够承受恶劣的工作条件。在电动汽车领域，该MOSFET可用于车载充电器、DC-DC转换器和电池管理系统，提供高效稳定的功率控制。
　　消费电子方面，该器件也可用于高性能电源适配器、LED驱动器和智能家电中的功率控制模块。其快速开关特性使其在高频应用中表现优异，适合用于音频放大器和高频电源转换系统。

SGP80N300HFD, IXP80N300HFD, FGP80N300HFD