时间：2025/5/22 11:02:09
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DPG30I300HA是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压应用而设计。该器件采用N沟道增强型技术，能够提供低导通电阻和高效率的开关性能。其封装形式通常为TO-247或类似的功率封装，具有良好的散热性能。
这款MOSFET适用于需要承受高电压和大电流的应用场景，例如工业电源、电机驱动、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等。其优异的电气特性和可靠性使其成为许多高功率应用的理想选择。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：30A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：65nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+150℃
DPG30I300HA的主要特性包括以下几点：
1. 高额定电压：能够承受高达1200V的漏源电压，适用于高电压环境。
2. 大电流能力：支持30A的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 低导通电阻：导通电阻仅为0.18Ω，有助于降低功耗并提高系统效率。
4. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷，从而实现更快的开关速度，减少开关损耗。
5. 高可靠性：在高温和恶劣环境下仍能保持稳定的性能。
6. 封装优势：采用标准功率封装，便于安装和散热管理。
DPG30I300HA广泛应用于各种高电压和高功率电子设备中，具体应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 不间断电源（UPS）
4. 太阳能逆变器
5. 电动车辆的功率控制模块
6. 电力转换系统
7. 其他需要高电压和大电流处理能力的工业和消费类电子产品
DPG30I300HA-QT
IRFP460
FQA14P120E
