DPA015D 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够在较高的开关频率下工作,同时保持较低的开关损耗。DPA015D 采用 TO-252(DPAK)封装,适用于表面贴装技术(SMT),广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统等领域。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):@Vgs=10V 时为 15mΩ,@Vgs=4.5V 时为 25mΩ
功率耗散(Pd):83W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
DPA015D 功率 MOSFET 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力,这使其在高频开关应用中表现出色。其导通电阻在 Vgs=10V 时仅为 15mΩ,在 Vgs=4.5V 时也仅为 25mΩ,这使得该器件可以在较低的栅极驱动电压下实现高效的功率转换。这种低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
DPA015D 支持高达 15A 的连续漏极电流,适用于需要高功率密度的设计。其 TO-252(DPAK)封装不仅提供了良好的热性能,还支持表面贴装工艺,便于自动化生产。
该器件具有出色的热稳定性,能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定工作,适用于各种工业和消费类应用。此外,DPA015D 的栅极驱动电压范围较宽,支持 ±20V 的 Vgs 电压,增强了设计的灵活性。
由于采用了先进的沟槽技术,DPA015D 在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗,这使其成为 DC-DC 转换器、同步整流器等应用的理想选择。
DPA015D 主要用于需要高效功率管理的电子系统中。其典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、电源管理模块以及工业控制设备。此外,该器件也适用于便携式电子产品、服务器电源、电信设备以及汽车电子系统等高要求应用场景。
Si2302DS、IRLZ44N、FDS4410、AO4406、FDV303N