DPA015D 时间：2025/7/22 6:31:05 阅读：6

DPA015D 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在较高的开关频率下工作，同时保持较低的开关损耗。DPA015D 采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术（SMT），广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统等领域。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V 时为 15mΩ，@Vgs=4.5V 时为 25mΩ
　　功率耗散（Pd）：83W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

DPA015D 功率 MOSFET 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，这使其在高频开关应用中表现出色。其导通电阻在 Vgs=10V 时仅为 15mΩ，在 Vgs=4.5V 时也仅为 25mΩ，这使得该器件可以在较低的栅极驱动电压下实现高效的功率转换。这种低 Rds(on) 特性有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。
　　DPA015D 支持高达 15A 的连续漏极电流，适用于需要高功率密度的设计。其 TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
　　该器件具有出色的热稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定工作，适用于各种工业和消费类应用。此外，DPA015D 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V 的 Vgs 电压，增强了设计的灵活性。
　　由于采用了先进的沟槽技术，DPA015D 在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗，这使其成为 DC-DC 转换器、同步整流器等应用的理想选择。