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DP3RB20SU32JQR400A 发布时间 时间:2025/7/31 23:20:20 查看 阅读:22

DP3RB20SU32JQR400A 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET晶体管,属于高性能、低导通电阻的N沟道MOSFET器件。该器件主要用于电源管理和功率转换应用,例如DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备中。该型号采用先进的制造工艺,具有优异的热性能和电流处理能力,能够在高频率下稳定工作,适用于要求高效率和高可靠性的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):20A
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大20mΩ(典型值16mΩ)
  功率耗散(PD):80W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6

特性

DP3RB20SU32JQR400A 具有以下主要特性:
  首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统的效率,尤其在高电流应用中表现尤为突出。
  其次,该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构,提供了优异的开关性能和导通特性,使其适用于高频开关应用。
  此外,该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,能够在突发的高电压或过载条件下保持稳定运行,提升了系统的可靠性。
  该器件的封装形式为PowerFLAT 5x6,具有良好的热管理性能,可有效散热,延长器件使用寿命。
  最后,其宽泛的工作温度范围(-55°C至175°C)确保了在极端环境下的稳定运行,适用于工业级和汽车级应用。

应用

DP3RB20SU32JQR400A 主要应用于以下领域:
  在电源管理方面,如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关等,用于提高转换效率并减小系统尺寸。
  在电机控制应用中,如无刷直流电机驱动器、电动工具和工业自动化设备中的H桥电路,用于高效、快速的开关控制。
  在电池管理系统(BMS)中,用于电池充放电保护和均衡控制,确保电池组的安全运行。
  此外,该器件也适用于服务器电源、通信设备电源、LED照明驱动器等对效率和可靠性要求较高的电子系统。

替代型号

STL320N3LLFAG, FDP320N06L, IPD320N06L, NTD320N06L

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