类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：400V
　　导通电阻（RDS(on)）：20mΩ（最大）
　　栅极电荷（Qg）：65nC（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　功耗（PD）：160W
　　漏极-源极击穿电压：400V
　　栅极驱动电压：10V

DP3R020RL30JQR400 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，其核心特性在于其极低的导通电阻（RDS(on)）以及高耐压能力。该器件的导通电阻最大仅为20mΩ，这大大降低了在高电流条件下的导通损耗，提高了整体系统的能效。此外，其漏源电压（VDS）高达400V，能够胜任高电压应用场合，如工业电源、太阳能逆变器和高压DC-DC转换器。
　　该MOSFET采用了先进的硅片技术和优化的封装设计，确保在高电流和高温环境下仍能保持稳定运行。其最大连续漏极电流可达30A，适用于需要大功率输出的系统。栅极电荷（Qg）仅为65nC，这使得该器件能够快速开关，降低开关损耗，从而提高电源转换效率。
　　此外，DP3R020RL30JQR400 的工作温度范围为-55°C 至 175°C，具备出色的热稳定性和可靠性。其TO-263（D2PAK）封装形式不仅有助于提高散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产。该器件的功耗为160W，能够在高负载条件下长时间稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。

DP3R020RL30JQR400 被广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效率和高可靠性的场景中表现出色。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动电路、电源管理系统、电池充电器以及太阳能逆变器等。在工业自动化设备中，该MOSFET可用于控制大功率负载，如电机、加热元件和照明系统。在汽车电子领域，该器件适用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等应用。此外，其优异的热性能和高耐压特性也使其成为高压电源和不间断电源（UPS）系统的理想选择。

SiHP40N400SG-TU, FQA30N400, IXFH30N400P