类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：3.5A
　　漏极-源极电压（Vds）：600V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大值）
　　功率耗散（Ptot）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-92

DO950EB 具备以下显著特性：
　　1. **低导通电阻**：该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）最大为1.2Ω，能够在高电流应用中降低功率损耗，提高系统效率。
　　2. **高耐压能力**：漏极-源极电压（Vds）可达600V，使其适用于高电压开关应用，如AC-DC电源转换器和电机控制电路。
　　3. **双路结构设计**：该器件内部集成了两个独立的N沟道MOSFET，可分别控制，适用于需要多个MOSFET的电路设计，减少PCB空间占用。
　　4. **高可靠性**：采用高稳定性的硅工艺和坚固的封装设计，确保在高温和恶劣环境下仍能稳定运行。
　　5. **快速开关性能**：具备较低的输入电容和开关时间，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和LED驱动电路。
　　6. **静电放电（ESD）保护**：栅极具备±30V的ESD保护能力，提升器件在装配和使用过程中的抗静电能力。
　　7. **热保护功能**：在过热情况下，器件能自动降低导通能力，防止因过热导致的损坏。

DO950EB 广泛应用于以下领域：
　　1. **电源管理**：包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，用于高效能的电能转换与调节。
　　2. **工业控制**：用于继电器驱动、电机控制、负载开关等工业自动化系统中，实现高可靠性的开关控制。
　　3. **消费类电子产品**：如LED照明驱动、智能家电控制电路等，提供高效、稳定的功率开关解决方案。
　　4. **汽车电子**：用于车载充电器、车灯控制模块、车载信息娱乐系统等，满足汽车电子对可靠性和耐环境能力的高要求。
　　5. **物联网设备**：适用于低功耗IoT设备中的电源管理和负载控制，支持高效能与小型化设计。

DO950EB的替代型号包括：STW20NM60ND、IRF740、FQA16N60、DO951EB