类型：双向TVS二极管阵列
　　封装形式：SOD-962（SC-109A）
　　通道数：2
　　击穿电压（V_BR）：20.1 V min @ I_T = 1 mA
　　齐纳电压（V_Z）：18 V nominal
　　最大反向工作电压（V_RWM）：18 V
　　钳位电压（V_C）：30.8 V max @ I_PP = 1 A
　　峰值脉冲电流（I_PP）：1 A
　　寄生电容（C_j）：典型值 10 pF @ V_R = 0 V, f = 1 MHz
　　漏电流（I_R）：最大 1 μA @ V_R = 16 V
　　功率耗散（P_D）：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C

DO5040H-183MLB 具备出色的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应并泄放来自外部环境的高压脉冲，从而保护后级敏感集成电路免受损坏。其核心特性之一是低动态电阻，这使得在发生ESD事件时，钳位电压上升幅度较小，有效降低对被保护电路的应力。该器件采用双二极管背对背结构设计，支持双向保护功能，特别适用于差分信号线路或可能承受正负瞬态电压的应用场景。由于其结电容仅为10pF左右，在高频信号传输路径中引入的信号衰减和失真非常小，因此非常适合USB、I2C、GPIO、SD卡接口等高速数字信号线路的防护。
　　另一个显著特点是其高可靠性和长期稳定性。器件内部采用成熟的硅PN结工艺制造，经过严格的筛选和老化测试，确保在各种环境条件下均能保持一致的电气性能。即使在高温高湿环境中长期运行，其漏电流增长也非常有限，不会导致系统功耗异常或误触发问题。此外，DO5040H-183MLB 的SOD-962封装具有良好的热导性和机械强度，支持自动化贴片生产，提升了整机制造效率与良率。该封装体积仅为1.0mm x 0.6mm x 0.45mm，极大节省PCB空间，满足现代电子产品小型化趋势。同时，器件符合AEC-Q101车规认证要求，可用于汽车电子中的传感器接口、CAN总线保护等对可靠性要求较高的场合。
　　在系统级电磁兼容（EMC）设计方面，DO5040H-183MLB 表现出色。它不仅能有效抑制人体模型（HBM）、机器模型（MM）等典型ESD放电模式，还能应对雷击感应、电源切换等引起的较长时间浪涌干扰。其300mW的连续功耗能力允许在持续过压情况下维持一定时间的稳压功能，增强了系统的鲁棒性。综合来看，这款器件以其紧凑尺寸、高性能和广泛适用性，成为众多工程师在进行电路保护设计时的首选方案之一。

DO5040H-183MLB 主要应用于需要高密度布局和高速信号完整性的电子系统中。典型使用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式消费类电子产品中的数据接口保护，如USB 2.0、HDMI、触摸屏控制器、摄像头模块以及音频耳机插孔等。这些接口经常暴露在外，极易受到用户操作过程中产生的静电冲击，因此必须配备高效的ESD防护元件以提升产品耐用性和用户体验。
　　在通信领域，该器件常用于以太网端口、RS-485、CAN总线等工业通信接口的瞬态抑制电路中，防止因电缆感应雷击或电源波动引发的数据错误或设备损坏。此外，在计算机外设如键盘、鼠标、打印机等设备的数据线上也广泛采用此类TVS阵列进行信号线保护。
　　汽车电子系统中，DO5040H-183MLB 可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统、ADAS传感器信号线的ESD防护。随着智能驾驶和车联网技术的发展，车辆内部电子节点数量不断增加，对外部干扰的敏感度也随之提高，因此可靠的瞬态电压抑制方案变得至关重要。
　　除此之外，该器件还适用于医疗仪器、测量设备、智能家居控制面板等人机交互频繁且对安全性要求较高的应用场景。其稳定的电气特性和符合多项国际安全标准的特点，使其能够满足不同行业对产品可靠性和合规性的严格要求。

SZESD9X18BT2