类型：肖特基二极管
　　封装/外壳：SOD-323
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：0.5A
　　最大正向电压（VF）：0.48V @ 10mA，0.67V @ 200mA
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25°C，25V；100μA @ 125°C，25V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：350°C/W（典型值）
　　安装类型：表面贴装

DO3340P223具备优异的电学性能和物理紧凑性，其核心优势在于低正向导通压降，这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提升了整体系统能效。在10mA的工作电流下，其正向电压仅为0.48V左右，即使在200mA满载条件下也控制在0.67V以内，这一特性使其非常适合用于电池供电设备中，有助于延长续航时间。此外，作为肖特基二极管，它具有极快的反向恢复时间，理论上接近于零，因此在高频开关应用如DC-DC升压或降压转换器中表现优异，能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该器件采用SOD-323封装，体积小巧，尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.1mm，非常适合空间受限的应用场合，例如智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等。封装结构具有良好的机械强度和热传导性能，能够在有限的空间内实现稳定散热。同时，DO3340P223具备较高的反向击穿电压裕度，在30V的额定VRRM下可安全运行于常见的5V、12V和24V系统中，提供可靠的反向阻断能力。
　　在环境适应性方面，该二极管可在-55°C至+125°C的宽结温范围内正常工作，确保在极端温度环境下仍保持稳定的电气特性。其反向漏电流在常温下极低（0.1μA@25V），即便在高温125°C时也能控制在100μA以内，避免了因漏电增加而导致的静态功耗上升问题。此外，器件通过AEC-Q101认证的可能性较高，适用于汽车电子等对可靠性要求严苛的领域。整体而言，DO3340P223结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是现代低功率电源设计中的理想选择。

DO3340P223广泛应用于各类低电压、小电流的电源与信号处理电路中。常见使用场景包括便携式消费类电子产品中的电池充电回路与电源路径管理，例如在移动电源、蓝牙耳机、智能手表等设备中作为防反接二极管或负载隔离元件。在DC-DC转换器拓扑中，该器件可用于同步整流替代方案或续流二极管，利用其低VF特性提高转换效率，尤其是在轻载或中等负载条件下效果明显。
　　此外，该二极管也适用于信号整流与钳位电路，例如在通信接口（如USB、I2C）中用于静电泄放路径或过压保护辅助元件。在嵌入式控制系统中，常被用作多个电源域之间的隔离二极管，防止倒灌电流损坏敏感模块。由于其快速响应特性，也可用于高频检波电路或RF信号检测应用。
　　在工业与汽车电子领域，DO3340P223可用于传感器供电隔离、LED驱动电路中的续流路径以及微控制器外围保护网络。其符合RoHS且支持无铅焊接的特点，使其能够满足出口产品和高端制造工艺的要求。总体来看，该器件适用于任何需要高效、紧凑、可靠单向导电功能的设计场景。

BAT54C, PMEG2005EH, B340A, SS12