型号：DO3316P105
　　制造商：Diodes Incorporated
　　封装/包装：SOD-323
　　二极管类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复反向电压 VRRM：100V
　　最大直流阻断电压 VR：100V
　　最大正向整流电流 IO：300mA
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：8A
　　最大正向电压 VF：850mV @ IF = 300mA, TJ = 25°C
　　最大反向漏电流 IR：100μA @ VR = 100V, TJ = 25°C
　　反向恢复时间 trr：典型值 4ns
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS, 无卤素, MSL1

DO3316P105的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与快速开关响应之间的优异平衡。这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，显著降低了载流子复合带来的能量损耗，从而提升了整体能效。在典型工作条件下（TJ=25°C），当正向电流达到300mA时，其最大正向电压仅为850mV，相比传统硅二极管可减少约30%-40%的导通损耗，这对于电池供电设备或对热管理要求较高的应用场景尤为重要。此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，几乎不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短，典型值仅为4ns，这使得它在高频开关环境下能够有效抑制反向恢复电流尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。
　　该器件还具备良好的热性能和可靠性。SOD-323封装虽然体积小巧（约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），但经过优化设计，能够在有限的空间内实现有效的热量传导，支持持续300mA的平均整流电流输出。其工作结温范围宽达-55°C至+125°C，确保在极端环境温度下仍能稳定运行，适用于工业级和消费级多种应用场景。器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和高加速应力试验（HAST），保证长期使用的耐久性。同时，产品符合RoHS指令和无卤素规范，满足现代绿色电子制造的需求，并且MSL1等级意味着无需干燥储存，简化了生产物流流程。

DO3316P105广泛应用于各类中小功率电源管理系统中，尤其是在空间受限但对效率有较高要求的设计中表现突出。常见用途包括AC-DC和DC-DC开关电源中的次级侧整流二极管，特别是在反激式（Flyback）或降压式（Buck）拓扑结构中用于提升转换效率。由于其快速响应特性，也常被用作续流二极管（Freewheeling Diode）以保护MOSFET或IGBT等开关元件免受电感负载产生的反电动势损害。在便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，该二极管可用于电池充放电路径的防反接保护或多电源选择电路中的隔离功能。此外，在USB供电、LED驱动模块、待机电源（Standby Supply）以及信号线路的静电放电（ESD）防护电路中也有广泛应用。其小型化封装特别适合高密度印刷电路板布局，有助于实现更轻薄的产品设计。

BAS40-04W, PMEG3005EH, SK33