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DO3316P-105 发布时间 时间:2025/12/27 23:43:33 查看 阅读:24

DO3316P-105是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装(SMD)多层陶瓷电容器(MLCC),专为高稳定性和高性能的电子电路设计。该器件采用X7R电介质材料,具备良好的温度稳定性,适用于需要在宽温度范围内保持电容值稳定的各类应用。其标称电容值为1.0μF(微法),额定电压为25V DC,适合用于去耦、滤波、旁路和储能等电路功能。DO3316P-105的封装尺寸为1210(英制),即3.2mm x 2.5mm,符合EIA标准,便于自动化贴片生产。该电容器具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),有助于提升高频性能,减少噪声干扰。此外,器件采用无铅端接,符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子产品制造。由于其高可靠性和紧凑尺寸,DO3316P-105广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制系统以及电源管理模块中。

参数

电容:1.0μF
  额定电压:25V DC
  电介质材料:X7R
  温度特性:±15% @ -55°C to +125°C
  封装尺寸:1210 (3.2mm x 2.5mm)
  温度范围:-55°C 至 +125°C
  电容公差:±10%
  直流偏压特性:在25V下电容下降约20%-30%(典型值)
  等效串联电阻(ESR):低,具体值依频率而定
  等效串联电感(ESL):低,适用于高频去耦
  端接类型:镍阻挡层,锡涂层(Ni/Sn),无铅兼容
  符合标准:RoHS,AEC-Q200(如适用)

特性

DO3316P-105所采用的X7R电介质材料赋予了该电容器优异的温度稳定性,能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化在±15%以内,这使其特别适用于工作环境温度波动较大的应用场景。相较于Z5U或Y5V等电介质类型,X7R在温度和电压稳定性方面表现更优,虽然其介电常数低于后者,但在可靠性要求较高的电路中更具优势。该器件的1210封装形式在提供较大电容值的同时,仍保持较小的占板面积,适合空间受限但需要较高电容量的设计需求。其多层结构设计不仅提升了单位体积的电容密度,还有效降低了等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),从而在高频去耦应用中表现出色,能够有效抑制电源噪声,提升系统稳定性。
  该电容器具有良好的直流偏压特性,在接近额定电压时电容值虽有下降,但仍在可接受范围内,设计时可通过并联多个电容或选择更高电压等级的产品进行补偿。其镍阻挡层端接结构有效防止了银迁移现象,提高了长期使用的可靠性,特别是在高温高湿环境下表现稳定。锡涂层端子确保了良好的可焊性,适用于回流焊和波峰焊工艺,满足大规模自动化生产的需求。此外,产品经过严格的筛选和测试,具备高绝缘电阻和低漏电流特性,减少了能量损耗和热效应,延长了系统使用寿命。作为Vishay旗下产品,DO3316P-105遵循严格的质量控制流程,符合工业级甚至汽车级应用的可靠性标准(视具体批次和认证情况),广泛用于对稳定性要求较高的嵌入式系统、DC-DC转换器输出滤波、ADC参考电压旁路等关键节点。

应用

DO3316P-105广泛应用于各类需要稳定电容性能的电子电路中。在电源管理系统中,常用于DC-DC转换器和LDO稳压器的输入与输出端滤波,有效平滑电压波动,抑制开关噪声,提高电源效率和稳定性。在模拟信号处理电路中,该电容器可用于运算放大器的偏置旁路、ADC/DAC参考电压的去耦,确保信号精度不受电源干扰影响。在数字系统中,特别是高速微处理器、FPGA和ASIC的供电网络中,DO3316P-105作为局部去耦电容,能够快速响应瞬态电流变化,维持电源轨的电压稳定,防止因电流突变引起的系统误动作或复位。
  此外,该器件也常见于通信设备中的射频前端模块、时钟发生电路和PLL环路滤波器中,用于滤除高频噪声和稳定工作点。在工业控制和汽车电子领域,得益于其宽温特性和高可靠性,DO3316P-105被用于PLC控制器、传感器接口模块、车载信息娱乐系统和ADAS电源模块中。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等也广泛采用此类电容器,以实现小型化与高性能的平衡。在便携式医疗设备、测试仪器和LED照明驱动电源中,该电容同样发挥着关键作用,保障系统长期稳定运行。

替代型号

GRM31CR61E105KA12K
  CL21B105KBANNNC
  C2012X7R1E105K

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