类型：表面贴装薄膜电阻阵列
　　封装形式：16引脚陶瓷扁平封装（Ceramic Flatpack）
　　电阻数量：4个独立电阻
　　标称阻值：121 Ω
　　阻值容差：±0.1%
　　温度系数（TCR）：±5 ppm/°C
　　工作温度范围：-55 °C 至 +155 °C
　　额定功率：每个电阻 100 mW（总功率 400 mW）
　　绝缘电阻：≥10 GΩ
　　耐压：500 V RMS
　　尺寸（长×宽×高）：约 6.35 mm × 6.35 mm × 1.98 mm
　　端接材料：金可焊端子（Au terminations）
　　符合标准：MIL-PRF-55342, RoHS compliant

DO3314-121MLC 的核心特性之一是其卓越的电阻匹配与温度跟踪性能。由于四个电阻元件是在同一块高纯度陶瓷基板上通过精密薄膜沉积和激光修调工艺制造而成，它们不仅具有非常接近的初始阻值（容差±0.1%），而且在温度变化过程中表现出高度一致的漂移行为，即具有极佳的相对温度系数（ΔTCR）。这意味着即使在宽温范围内工作，各电阻之间的比例关系仍能保持高度稳定，这对于诸如仪表放大器输入级、惠斯通电桥偏置网络或ADC驱动电路中的共模抑制比（CMRR）至关重要。此外，该器件的绝对TCR仅为±5 ppm/°C，远优于普通厚膜或金属箔电阻，显著减少了因环境温度波动引起的系统误差。
　　另一个关键特性是其出色的长期稳定性与老化特性。在典型使用条件下，DO3314-121MLC 的年老化率低于±25 ppm，这使得它非常适合用于校准设备或需要长时间免维护运行的精密系统。其薄膜结构对湿度、氧化和机械应力不敏感，结合陶瓷封装提供的气密性保护，进一步提升了器件在恶劣环境下的可靠性。此外，该器件具备低噪声特性（典型值<-30 dB，0.1 Hz to 10 Hz），避免了额外的电压扰动干扰微弱信号处理路径。
　　电气隔离方面，DO3314-121MLC 提供高达500 V RMS的耐压能力，确保在高压差环境下各通道之间不会发生击穿或漏电流增加的问题。同时，其高绝缘电阻（≥10 GΩ）有效防止了信号串扰。金端子设计增强了可焊性和抗腐蚀能力，支持回流焊和波峰焊等多种SMT工艺，且与无铅焊料兼容。总体而言，这些特性使DO3314-121MLC 成为高端模拟集成应用中不可替代的关键元件。

DO3314-121MLC 主要应用于对精度、稳定性和可靠性要求极为严苛的高端电子系统中。在测试与测量领域，该器件常用于数字万用表（DMM）、示波器前端调理电路、精密电源反馈网络以及自动测试设备（ATE）中的增益和偏置设置，确保测量结果的高度重复性和准确性。在工业自动化控制系统中，它被广泛用于压力传感器信号调理模块、热电偶放大器和PLC模拟输入卡，以实现高分辨率数据采集和最小化温漂误差。
　　在医疗电子设备中，如病人监护仪、心电图（ECG）放大器和医学成像系统的前端电路，DO3314-121MLC 凭借其低噪声和高共模抑制能力，有助于提升微弱生物电信号的信噪比，保障诊断信息的完整性。航空航天与国防系统也大量采用此类高可靠性电阻阵列，例如在飞行控制计算机、惯性导航系统和雷达信号处理单元中执行精确电压分压或反馈控制功能。
　　此外，在精密数据转换系统中，该器件可用于高速模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的参考电压分压网络或驱动放大器反馈环路，确保转换线性度和动态范围不受外围元件失配影响。科研级仪器如频谱分析仪、锁相放大器和低温实验设备同样依赖 DO3314-121MLC 来维持长期稳定的电气性能。总之，任何需要四通道精密匹配电阻且工作环境复杂的应用场景，都是该器件的理想选择。

VSM3314-121MLC
　　WSM3314-121MLC
　　M3314-121MLC