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DO1606T-105C 发布时间 时间:2025/12/27 23:40:15 查看 阅读:14

DO1606T-105C是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用SOD-123FL小型封装,适用于需要高效率和紧凑布局的电源管理应用。该器件具有低正向电压降和快速开关特性,能够有效减少功率损耗并提升系统整体能效。DO1606T-105C的标称反向耐压为10V,最大持续正向电流为1A,广泛应用于便携式电子设备、智能手机、平板电脑、USB供电电路以及各类DC-DC转换器中。其小型化封装设计特别适合高密度PCB布局,有助于缩小终端产品的体积。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,能够在-55°C至+125°C的工作温度范围内稳定运行,适应严苛的工业与消费类应用场景。DO1606T-105C在制造过程中采用了先进的晶圆工艺和封装技术,确保了器件的一致性与长期稳定性,是现代低电压、高效率电源系统中的关键元器件之一。

参数

型号:DO1606T-105C
  制造商:Diodes Incorporated
  封装类型:SOD-123FL
  极性:单个肖特基二极管
  最大重复反向电压(VRRM):10V
  最大直流反向电压(VR):10V
  平均整流电流(IO):1A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms半正弦波)
  最大正向电压降(VF):450mV @ 1A(典型值)
  最大反向漏电流(IR):100μA @ 10V(最大值)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  热阻抗(RθJA):250°C/W(典型值)
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

DO1606T-105C的核心优势在于其低正向导通压降和快速开关响应能力。由于采用肖特基势垒结构,该二极管在正向导通时表现出比传统PN结二极管更低的电压降,典型值仅为450mV@1A,显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了电源转换效率。这一特性对于电池供电设备尤为重要,有助于延长续航时间。
  其次,该器件具备优异的开关速度,反向恢复时间极短(通常小于1ns),几乎不存在反向恢复电荷(Qrr),因此在高频开关电源和DC-DC转换器中可有效抑制电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升系统稳定性。同时,低反向恢复特性也有助于降低开关损耗,进一步优化能效表现。
  DO1606T-105C采用SOD-123FL超小型表面贴装封装,尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 1.0mm,节省PCB空间,便于实现高密度布局,非常适合对尺寸敏感的移动设备。该封装还具备良好的散热性能,结合250°C/W的热阻特性,可在有限的空间内有效传导热量,避免局部过热导致性能下降。
  此外,该器件具有较高的浪涌电流承受能力,可达30A(8.3ms半正弦波),能够在瞬态负载或启动过程中提供可靠的保护,增强系统的鲁棒性。其反向漏电流控制在100μA以下(@10V),在高温环境下仍能保持较低的漏电水平,确保在宽温范围内稳定工作。产品符合AEC-Q101汽车级可靠性标准,适用于汽车电子、工业控制及消费类电子产品等多种应用场景。

应用

DO1606T-105C广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流解决方案的电子系统中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,常用于电池充放电管理电路、电源路径切换以及防止反向电流倒灌,保障电池安全。其低正向压降特性有助于减少能量损耗,提升能效,延长设备使用时间。
  在USB供电系统(包括USB Type-C和PD应用)中,该二极管可用于电源输入端的防反接保护或作为同步整流的辅助元件,确保在多电源输入环境中实现平稳切换。此外,在DC-DC降压或升压转换器中,DO1606T-105C可作为续流二极管使用,利用其快速开关和低VF特性,减少开关过程中的能量损耗,提高转换效率,尤其是在轻载和中等负载条件下表现优异。
  该器件也常见于LDO稳压器输出端的隔离电路、热插拔电源模块以及各类适配器和充电器中,提供高效的单向导通功能。在汽车电子系统中,可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和传感器供电单元,满足车规级环境下的可靠运行要求。此外,工业自动化设备、通信模块和物联网终端等对空间和效率有严格要求的应用场景也是其主要使用领域。

替代型号

MBRB140T1G
  PMDS320UNC,115
  BAS40-04W

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