时间：2025/8/5 21:47:08
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DNA120E2200KO是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高功率和高频率的电子电路中。该器件由英飞凌科技公司（Infineon Technologies）生产，属于其MOSFET产品系列。DNA120E2200KO采用先进的功率封装技术，具有优异的导通和开关性能，适用于需要高效能和可靠性的工业、汽车和消费电子领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：120V
最大漏极电流（Id）：220A
导通电阻（Rds(on)）：约0.85mΩ（典型值）
最大功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
栅极电荷（Qg）：约140nC（典型值）
漏极-源极击穿电压（BVdss）：120V
DNA120E2200KO MOSFET具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件的高电流承载能力（高达220A）和耐高压（120V）特性，使其适用于大功率开关应用。此外，DNA120E2200KO采用先进的TO-263封装技术，具有良好的热管理和散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。该器件还具有快速开关特性，降低开关损耗，并提高系统响应速度。此外，其宽工作温度范围（-55°C至175°C）确保其在极端环境条件下仍能保持可靠运行，适用于严苛的工业和汽车应用。
DNA120E2200KO MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的应用包括电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）中的功率逆变器和DC-DC转换器、工业电机驱动器、电源管理系统、高功率LED照明系统、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等。此外，该器件还可用于高性能电源开关、电池管理系统（BMS）以及高效率电源转换器。由于其优异的导通和开关性能，DNA120E2200KO特别适合用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的电力电子系统。
BSC022N04LS、IRFP260N、IXFH220N120
