时间：2025/9/7 8:07:37
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DNA1004CL是一种双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），由东芝（Toshiba）生产，常用于高效率的电源管理和开关应用。该器件采用SOP（Small Outline Package）封装，适合表面贴装技术（SMT），广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等电路中。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
连续漏极电流（Id）：4A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP8
DNA1004CL具有低导通电阻的特点，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其双N沟道结构设计允许在一个封装内实现两个独立的MOSFET器件，非常适合空间受限的设计。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持3.3V至20V的输入控制，兼容多种控制电路，如微控制器或电源管理IC。在高频开关应用中，DNA1004CL表现出良好的动态响应能力，同时具备较低的开关损耗，有助于提高整体系统的能效。该器件还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在较为恶劣的环境条件下工作。
DNA1004CL的封装设计优化了引脚布局，减少了寄生电感和电阻，提升了高频下的性能表现。其SOP8封装具有良好的散热性能，适用于中高功率应用。此外，DNA1004CL的制造工艺采用先进的沟槽式MOSFET技术，确保了器件的高可靠性和长使用寿命。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺的电路板制造。
DNA1004CL广泛应用于各类电源管理电路中，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统和负载开关等。它也常用于工业自动化设备、便携式电子产品、LED驱动电路以及各种需要高效能开关控制的电子系统中。
SI2302DS、FDN304P、2N7002K、AO3400A
