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DN3545N8 发布时间 时间:2025/7/17 19:22:47 查看 阅读:6

DN3545N8是一款由Diodes公司生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件设计用于高频率和低噪声应用,特别适用于射频(RF)和中频(IF)放大器电路。由于其优异的高频响应和低噪声系数,DN3545N8广泛应用于通信设备、音频放大系统以及需要高保真信号放大的电子设备中。该晶体管采用SOT-23封装,具有体积小、功耗低和稳定性高等特点。

参数

晶体类型:NPN
  封装类型:SOT-23
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗(Pd):300mW
  增益带宽积(fT):100MHz
  噪声系数:1.5dB(典型值)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

DN3545N8作为一款高性能的NPN型晶体管,具备多项突出的技术特性。首先,它的噪声系数非常低,典型值为1.5dB,这使得它非常适合用于前置放大器等对噪声敏感的应用场景。其次,该晶体管具有良好的高频响应,其增益带宽积达到100MHz,可以有效地处理射频和中频信号。
  此外,DN3545N8的最大集电极电流为100mA,集电极-发射极和集电极-基极的最大电压均为30V,具备较高的耐压能力,能够在较为苛刻的工作条件下稳定运行。其最大功耗为300mW,在SOT-23小型封装下依然能够保持较低的热阻,从而确保长时间工作的可靠性。
  这款晶体管还具有优良的线性度和稳定的电流增益特性,适合在各种模拟电路中使用,例如低噪声放大器、功率放大器、混频器以及开关电路。同时,其工作温度范围从-55°C到+150°C,适应了工业级环境下的广泛应用需求。

应用

DN3545N8主要用于射频和中频放大器电路,特别是在无线通信设备中发挥重要作用。它可以用于基站接收器、卫星通信系统、有线电视(CATV)前端设备以及其他需要高增益和低噪声放大的场合。
  此外,该晶体管也常用于音频放大系统中的前置放大阶段,以提高音质清晰度并减少背景噪声。在消费类电子产品中,如高端音响设备、专业麦克风前置放大器和广播设备中也有广泛的应用。
  由于其优良的开关特性和稳定性,DN3545N8还可用于高速开关电路、脉冲调制器以及数字逻辑电路中的驱动部分。

替代型号

BC547, 2N3904, PN2222

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DN3545N8参数

  • 制造商Supertex
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压450 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流0.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)20000 mOhms at 0 V
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-89
  • 封装Reel
  • 下降时间30 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1600 mW
  • 上升时间30 ns
  • 工厂包装数量2000
  • 典型关闭延迟时间30 ns