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DN2470K4-G 发布时间 时间:2025/7/26 2:19:35 查看 阅读:8

DN2470K4-G 是一款由 Analog Devices(亚德诺半导体)公司生产的高精度、低漂移的电压参考芯片。该器件专为需要高稳定性和长期可靠性的精密模拟电路设计,广泛应用于数据采集系统、测试设备、工业控制、医疗仪器以及其他需要高精度电压基准的场合。DN2470K4-G 提供了出色的温度系数、低噪声和高长期稳定性,使其成为高精度测量系统中的理想选择。

参数

类型:电压基准
  输出电压:2.5V
  初始精度:±0.05%(最大)
  温度系数:2 ppm/°C(最大)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  电源电压范围:4.5V 至 36V
  输出电流能力:±10mA
  长期稳定性:25ppm/1000小时
  封装类型:TO-99(金属密封封装)
  引脚数:8
  湿度敏感度:1级
  RoHS合规性:是

特性

DN2470K4-G 以其卓越的电气性能和稳定性著称。首先,它的初始精度高达 ±0.05%,确保在常温下输出电压非常接近标称值,这在高精度测量系统中至关重要。
  其次,该器件的温度系数为最大 2 ppm/°C,这意味着在工作温度范围内,输出电压的变化极小,能够满足对温度稳定性要求极高的应用场景。例如,在工业环境或医疗设备中,温度变化可能会显著影响测量精度,而 DN2470K4-G 的这一特性有效降低了温度对系统性能的影响。
  此外,DN2470K4-G 的工作电压范围为 4.5V 至 36V,具有广泛的适用性,能够兼容多种电源设计。它还能提供高达 ±10mA 的输出电流,足以驱动多个模拟电路模块,如运算放大器、ADC 和 DAC 等。
  
该芯片采用了 TO-99 金属密封封装,不仅提高了器件的机械强度和热稳定性,还增强了长期工作的可靠性。这种封装形式在高可靠性系统中尤为常见,如航空航天、军事设备和精密仪器等。
  长期稳定性方面,DN2470K4-G 在 1000 小时内的电压漂移仅为 25ppm,意味着在长时间运行中,其输出电压保持高度稳定,减少了系统校准的需求,提升了设备的整体性能和使用寿命。
  同时,该器件具备低噪声特性,适用于高精度模拟电路中的参考电压源,能够显著改善系统的信噪比,尤其适合用于高分辨率 ADC 和 DAC 应用。

应用

DN2470K4-G 主要应用于对电压稳定性要求极高的精密电子系统中。例如,在数据采集系统中,作为高精度 ADC 或 DAC 的参考电压源,确保转换结果的准确性;在工业控制设备中,提供稳定的基准电压用于传感器信号调理和校准;在测试与测量仪器中,如万用表、示波器和信号发生器,用于保证测量精度和一致性。
  此外,该器件还广泛应用于医疗设备,如血糖仪、心电图机和生命体征监测设备,这些设备对电压基准的稳定性和精度要求极高,DN2470K4-G 的优异性能能够保障设备的可靠运行。
  在航空航天和军事领域,DN2470K4-G 也常用于高可靠性系统中,如导航系统、雷达设备和通信模块,其金属密封封装和高稳定性使其能够在恶劣环境中保持稳定工作。
  对于需要长时间运行且不易维护的系统,如自动气象站、远程监测设备和工业自动化系统,DN2470K4-G 的长期稳定性优势尤为明显,能够减少系统维护和校准频率,提高整体运行效率。

替代型号

AD584、LM399、LT1021、MAX6325

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DN2470K4-G参数

  • 制造商Supertex
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压700 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流170 mA
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)42 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252
  • 封装Reel
  • 下降时间60 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 上升时间45 ns
  • 工厂包装数量2000
  • 典型关闭延迟时间45 ns