您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13 发布时间 时间:2025/12/26 12:55:44 查看 阅读:15

DMTH8012LPS-13是一款由Diodes Incorporated生产的高性能沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,旨在实现极低的导通电阻(RDS(on))和高效率的功率开关性能。该器件属于PowerDI5060系列封装,是一种表面贴装型功率MOSFET,适用于高密度电源管理应用。其主要设计目标是在保持小尺寸的同时提供优异的热性能和电气性能,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动等应用场景。该MOSFET具有良好的栅极电荷特性,能够有效降低开关损耗,从而提升系统整体能效。此外,其封装设计优化了散热路径,能够在有限的PCB空间内实现高效的热量耗散,确保在高负载条件下仍能稳定运行。
  DMTH8012LPS-13的命名规则中,“DMT”代表Diodes的MOSFET产品线,“H”表示增强型沟道结构,“80V”为漏源击穿电压额定值,“12mΩ”大致对应于其导通电阻水平,而“LPS”则指代其封装类型为PowerDI5060。“-13”通常表示卷带包装形式,适用于自动化贴片生产流程。该器件符合RoHS环保标准,并具备可靠的抗湿气和机械稳定性,适合在工业级温度范围内工作(-55°C至+150°C)。作为一款P沟道MOSFET,它在高端开关配置中表现出色,尤其适用于需要简单驱动逻辑和快速响应的应用场景。

参数

型号:DMTH8012LPS-13
  类型:P沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):-80V
  连续漏极电流(ID):-30A(@TC=25°C)
  脉冲漏极电流(IDM):-120A
  导通电阻(RDS(on)):12.8mΩ(@VGS=-10V)
  导通电阻(RDS(on)):17.5mΩ(@VGS=-4.5V)
  栅源阈值电压(VGS(th)):-2.0V ~ -4.0V
  栅极电荷(Qg):75nC(@VGS=-10V)
  输入电容(Ciss):3420pF(@VDS=-50V)
  反向恢复时间(trr):34ns
  工作结温范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:PowerDI5060

特性

DMTH8012LPS-13采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造,具备极低的导通电阻,这使得它在大电流应用中能够显著减少传导损耗,提高系统效率。其典型RDS(on)仅为12.8mΩ(在VGS = -10V条件下),即使在较低的栅极驱动电压下(如-4.5V),也能维持17.5mΩ的低阻状态,展现出优良的驱动兼容性,适用于多种控制器输出逻辑电平。这种低RDS(on)特性对于电池供电设备尤为重要,因为它可以直接降低功耗并延长续航时间。同时,该器件的高电流承载能力(连续漏极电流达-30A)使其适用于高功率密度设计,例如服务器电源模块或工业电机控制电路。
  该MOSFET的封装采用PowerDI5060技术,这是一种无引脚表面贴装封装,具有出色的热性能和电气性能。与传统DPAK或SO-8封装相比,PowerDI5060通过底部裸露焊盘直接将热量传导至PCB,大幅提升了散热效率,允许器件在紧凑布局中长时间运行而不发生过热问题。此外,该封装减少了寄生电感和电阻,有助于改善高频开关性能,降低EMI干扰。这一特点使其非常适合用于同步整流、半桥/全桥拓扑结构中的高端开关应用。
  DMTH8012LPS-13还具备良好的雪崩耐受能力和稳健的ESD防护性能,增强了其在瞬态过压环境下的可靠性。其栅氧层经过严格工艺控制,确保长期使用的稳定性和寿命。器件支持快速开关操作,得益于较低的栅极电荷(Qg = 75nC)和米勒电容(Crss),可在高频DC-DC变换器中实现高效节能运行。此外,其反向恢复时间较短(trr = 34ns),配合体二极管使用时可减少反向恢复电荷带来的能量损耗,进一步优化系统效率。总体而言,该器件在性能、可靠性和封装集成度之间实现了良好平衡,是现代高效率电源设计的理想选择。

应用

DMTH8012LPS-13广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。在DC-DC转换器领域,它常被用作同步整流器或主开关元件,尤其是在降压(Buck)转换器中作为高端开关使用,因其低导通电阻和良好的热性能可显著提升转换效率并减少散热需求。该器件也适用于负载开关电路,在便携式设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中用于控制不同功能模块的电源通断,防止浪涌电流并实现节能管理。
  在电池管理系统(BMS)中,DMTH8012LPS-13可用于电池充放电控制回路,作为保护开关切断异常电流路径,保障系统安全。其高电流能力和稳健的过载承受能力使其适合用于电动工具、无人机和轻型电动车中的电机驱动电路,执行PWM调速或方向控制功能。此外,在工业电源、电信整流器和分布式电源架构中,该MOSFET可用于OR-ing电路、冗余电源切换和热插拔控制器,确保系统在不断电情况下平稳接入或移除电源单元。
  由于其符合AEC-Q101车规级可靠性标准(部分批次或版本可能认证),该器件也可用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电模块和车身控制模块等。其表面贴装封装便于自动化生产,适应现代SMT工艺要求,适合大规模批量制造。总之,DMTH8012LPS-13凭借其高性能参数和紧凑封装,已成为众多高功率密度、高效率电源设计中的关键组件。

替代型号

DMC3088LSD-13
  DMP3088LSD-13
  AOZ5212PI

DMTH8012LPS-13推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DMTH8012LPS-13参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥2.54178卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Ta),72A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)17 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)34 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1949 pF @ 40 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.6W(Ta),136W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerDI5060-8
  • 封装/外壳8-PowerTDFN