时间：2025/12/26 10:31:50
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DMTH6016LSD-13是一款由Diodes Incorporated推出的高性能N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率电源管理应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性，使其在开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用中表现出色。其SOT-23封装形式提供了紧凑的尺寸，适用于空间受限的设计场景。DMTH6016LSD-13的工作电压等级适合60V以下的应用环境，能够承受瞬态过压情况，并具备良好的热稳定性。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，广泛应用于便携式设备、消费类电子产品及工业控制领域。由于其优异的电气性能和可靠性，DMTH6016LSD-13成为众多工程师在中小功率功率开关设计中的首选器件之一。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）@25°C：6.4A
脉冲漏极电流（IDM）：25A
导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：16mΩ
导通电阻（RDS(on)）@2.5V VGS：22mΩ
栅源阈值电压（VGS(th)）@250μA：1.2V ~ 2.3V
栅极电荷（Qg）@4.5V：7nC
输入电容（Ciss）@10V：520pF
反向恢复时间（trr）：18ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装/包装：SOT-23
DMTH6016LSD-13采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的能效表现。其典型RDS(on)值仅为16mΩ（在VGS=4.5V条件下），即使在低输入电压下也能维持良好的导通能力，这使得它非常适合用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场合。器件的栅极驱动电压兼容性强，可在2.5V至10V范围内稳定工作，尤其适配于现代低压逻辑控制器（如MCU或PMIC）直接驱动，无需额外电平转换电路。
该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=7nC）和米勒电荷（Qgd），有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频开关应用下的效率。同时，输入电容较小（Ciss=520pF），进一步降低了驱动电路的负载压力，有利于实现更快的开关速度和更高的系统响应能力。反向恢复时间短（trr=18ns），表明其体二极管具有较快的恢复特性，在同步整流拓扑中可有效抑制电压尖峰和电磁干扰问题。
热性能方面，尽管采用小型SOT-23封装，但通过优化芯片结构与封装材料，DMTH6016LSD-13仍能支持高达6.4A的连续漏极电流（在良好散热条件下）。其最大工作结温可达150°C，具备较强的环境适应性，可在较宽温度范围内可靠运行。内置的雪崩能量保护机制增强了器件在瞬态过压或感性负载切换时的鲁棒性，提升了整体系统安全性。此外，产品符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分要求，可用于部分车载电子模块中。
DMTH6016LSD-13广泛应用于多种电源管理场景，包括但不限于同步整流式DC-DC降压变换器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机）的电源路径控制，以及各类需要高效低侧开关的嵌入式系统。其小尺寸封装特别适合高密度PCB布局需求，常被用于空间受限但对效率要求较高的设计中。此外，也可用于电机驱动、LED驱动电源、USB充电端口的过流保护开关等应用场景。由于其良好的开关特性和热稳定性，该器件同样适用于工业自动化设备中的信号切换与功率控制模块。
AO3400A
