型号：DMTH4007SK3-13
　　类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDS)：-30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-5.8A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-16A
　　导通电阻(RDS(on))：4.7mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻(RDS(on))：6.3mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：970pF @ VDS = 15V
　　输出电容(Coss)：275pF @ VDS = 15V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS = 15V
　　栅极电荷(Qg)：11nC @ VGS = -10V
　　开启延迟时间(Td(on))：6ns
　　上升时间(Tr)：28ns
　　关断延迟时间(Td(off))：24ns
　　下降时间(Tf)：18ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

DMTH4007SK3-13采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用场景下能够显著降低传导损耗，提高整体能效。其RDS(on)在-10V的栅极驱动电压下仅为4.7mΩ，在-4.5V条件下也仅达到6.3mΩ，表现出优异的低压驱动能力，兼容现代低电压逻辑控制信号。这种低RDS(on)特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以减少发热并延长电池续航时间。
　　该器件具有出色的开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg=11nC）和合理的寄生电容配置（Ciss=970pF, Crss=40pF），使其适用于高频DC-DC转换器拓扑结构，如同步整流Buck或Boost电路。快速的开启与关闭响应时间（Td(on)=6ns, Td(off)=24ns）确保了在高频率操作下的稳定性与效率，同时降低了交叉导通风险。此外，其反向传输电容Crss较低，有助于抑制噪声耦合，增强电路抗干扰能力。
　　DMTH4007SK3-13集成的体二极管具有较快的反向恢复特性，可在感性负载切换过程中有效泄放反向电流，防止电压尖峰损坏其他元件。这一特性在电机驱动和继电器控制等应用中尤为关键。器件还具备良好的热稳定性，结合SOT-23封装的高效散热设计，可在高温环境下长期可靠运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适应极端工业环境。
　　此外，该MOSFET符合AEC-Q101车规级可靠性标准，适用于汽车电子系统中的电源管理模块。其小型SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴装，提升生产效率。整体而言，DMTH4007SK3-13是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的P沟道MOSFET，特别适合对效率、尺寸和成本敏感的设计需求。

DMTH4007SK3-13广泛用于各类高效电源管理系统中，典型应用场景包括便携式消费电子产品中的负载开关与电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池供电切换电路。其低导通电阻和快速响应特性使其成为同步整流DC-DC转换器的理想选择，尤其适用于降压（Buck）变换器的上管或下管配置，能够有效提升转换效率并减少热量产生。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器供电单元和小型电机驱动电路中，作为功率开关元件实现精确的电流控制。由于其具备较强的电流承载能力和稳定的热性能，也可应用于LED驱动电源中，用于调节恒流输出或实现调光功能。此外，在热插拔电路和电源多路复用系统中，DMTH4007SK3-13凭借其快速开关能力和低静态功耗，能够实现安全可靠的电源切换，避免浪涌电流对系统造成冲击。
　　在汽车电子方面，该MOSFET可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理、车灯控制单元等非主驱类低压功率控制场合。其符合AEC-Q101标准的可靠性保障了在振动、温度变化剧烈的车载环境中长期稳定运行。同时，由于其封装小巧且易于布局，非常适合空间受限的车载ECU设计。另外，在电池管理系统（BMS）中，该器件可用于电池充放电通路的通断控制，配合保护IC实现过流、短路等故障保护机制。
　　总之，DMTH4007SK3-13凭借其优良的电气特性、紧凑的封装和广泛的适用性，已成为众多中低功率电源开关应用中的优选器件。

DMG2307LVT-7
　　DMP2008UFG-7
　　AO4401A
　　FDN360P