时间：2025/12/26 11:37:10
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DMTH3004LPS-13是一款由Diodes Incorporated生产的高性能N沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、高密度电源应用而设计，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，能够在有限的空间内实现更高的功率输出。其小型化的PowerDI5060封装不仅节省了PCB空间，还提供了良好的热性能，适用于对尺寸和散热有严格要求的应用场景。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等场合。由于其高可靠性和稳定的电气特性，DMTH3004LPS-13在消费电子、工业控制和通信设备中得到了广泛应用。该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适合用于绿色电子产品制造。此外，其引脚兼容多种同类产品，便于设计替换与升级。整体而言，DMTH3004LPS-13是一款集高效能、小体积与高可靠性于一体的先进功率MOSFET器件。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：18A
最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：72A
导通电阻RDS(on)典型值：4.7mΩ @ VGS=10V
导通电阻RDS(on)最大值：6.2mΩ @ VGS=10V
导通电阻RDS(on)：7.5mΩ @ VGS=4.5V
阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
输入电容(Ciss)：1090pF @ VDS=15V
输出电容(Coss)：485pF @ VDS=15V
反向恢复时间(trr)：27ns
最大功耗(PD)：2.5W
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装类型：PowerDI5060
DMTH3004LPS-13采用先进的TrenchFET工艺技术，显著降低了导通损耗并提升了开关效率。其超低的导通电阻RDS(on)使其在大电流应用中表现出色，能够有效减少系统中的功率损耗，提高整体能效。例如，在同步整流或负载开关电路中，低RDS(on)意味着更少的热量产生，从而降低散热设计的复杂度，并提升系统的长期稳定性。该器件的栅极电荷(Qg)较低，典型值仅为19nC（@ VGS=10V），这有助于加快开关速度，减小开关过程中的能量损耗，特别适用于高频工作的电源拓扑结构如Buck、Boost转换器。
另一个关键优势是其优化的封装设计——PowerDI5060。这种表面贴装型封装不仅实现了紧凑的占位面积（仅5.0mm x 6.0mm），还通过底部散热焊盘增强了热传导能力，使器件能在较高功率下持续运行而不易过热。同时，该封装具有优良的机械强度和焊接可靠性，适用于自动化SMT生产线，确保批量生产的良率和一致性。
该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和稳健的ESD防护性能，可在瞬态过压或负载突变的情况下保持稳定工作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其适用于恶劣环境下的工业级应用。此外，±20V的栅源电压耐受能力提高了器件在驱动信号波动时的安全裕度，避免因误触发导致损坏。综合来看，DMTH3004LPS-13在性能、尺寸与可靠性之间达到了理想平衡，是现代高密度电源设计的理想选择。
DMTH3004LPS-13因其高电流承载能力、低导通电阻和优异的热性能，被广泛应用于多种电源管理与功率控制场景。它常用于同步整流式DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器中，作为主开关或整流元件，以提高转换效率并减少发热。在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中，该器件可用于电池电源路径管理、负载开关控制以及多路电源切换，帮助延长续航时间并增强系统响应速度。
在工业控制系统中，DMTH3004LPS-13可用于电机驱动电路中的H桥结构或继电器替代方案，实现快速启停和精确控制。其高频开关能力也使其适用于LED驱动电源，特别是在需要恒流输出的大功率照明应用中表现优异。此外，该MOSFET还可用于服务器和通信设备的板载电源模块（POL, Point-of-Load），为FPGA、ASIC或微处理器提供高效的局部供电解决方案。
由于其符合环保标准且支持无铅回流焊工艺，该器件也适用于汽车电子辅助系统，如车载信息娱乐设备、车身控制模块等非引擎舱应用场景。总体而言，任何需要高效、小型化且可靠功率开关的电子系统都可以考虑采用DMTH3004LPS-13来优化设计性能。
DMG3004LPS-13, DMP3004LPS-13, AO3404A
